來源：半導體行業觀察（ID：icbank）原創

去年飽受NAND Flash漲價之苦的終端應用廠商終於在今年年初迎來了一波利好。根據相關統計數據顯示，從NAND Flash整體報價來看，2018年第1季較2017年第4季平均走跌約5%~10%，維持約1年來的價格走勢宣告結束。但對於國內正在重金打造的3D NAND Flash供應商來說，一場艱難之戰正在蔓延。

包括三星、東芝、SK海力士和美光在內的Flash供應商都發布了擴產計劃，這勢必會對國內正在加緊建設的NAND Flash廠商造成巨大的影響。

三星們投巨資擴產能，Flash面臨殺價潮

全球存儲晶元龍頭三星電子宣布，將於未來三年斥資70億美元，擴大中國西安廠區儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產能，這是繼DRAM擴產之後，三星在存儲產能的又一重磅炸彈。。

據了解，三星位於西安的存儲工廠，目前主力產品全為NAND Flash。按照三星規劃，將在本月底舉行新廠動土儀式，新廠完成後，西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅67%。

大摩表示，到2018年，三星NAND FLASH的出貨量將會在同比增長36%，他們預測，三星2017年的增長主要是由平澤工廠的50K 3D NAND貢獻，到2018年Q4，這個數字將會達到100K。但是總體數量的增加應該還是個位數，根據大摩預測，到2018年，三星3D NAND的產量將會達到320K/月，同比增長了18%

三星不同工廠的NAND 產能

無獨有偶，除了三星外，其他快閃記憶體產商也大幅度投入了NAND Flash產能的擴充。

韓國大廠SK 海力士在去年8 月M14 廠完工典禮上，表態要在十年內，於韓國利川、清洲等地加碼建置三座半導體廠房。而今22 日SK 海力士公布了最新的新廠投資計劃，SK 海力士表示，新廠將座落韓國清州市科技城，將於同年9月動工展開設計、今年8 月開始外殼結構與無塵室建構，並於2019 年6 月完工，而屆時的設備機台安裝將視公司的遷移計劃而定，可以確定的是，新廠總投資金額將來到2.2 兆韓元，主要用於NAND Flash 產能的布建。

韓國清州自2008 年以來，即為SK 海力士NAND Flash 生產的大本營，海力士新建的利川M14 廠雖將於明年轉進3D NAND Flash 量產，但官方進一步指出，為了因應接下來3D NAND Flash 滲透率持續攀升、加以建廠時需兩年，因此決議提前新建廠房布局。

另外，據日經新聞報導，東芝 ( Toshiba )存儲器事業合作夥伴西部數據（Western Digital）將在今後3年內對雙方的合資事業投資5,000億日圓，除了將用於四日市工廠新廠房的興建費用之外、還將充作預計2020年啟用的北上工廠的投資資金。

2017年經歷了長時間的法律訴訟及合資爭議後，東芝與西數已於2017年12月13日達成和解，雙方延展合資關係至2029年，並確保西數在Fab 6中能夠參與投資，延續在96層以後3D-NAND Flash的競爭門票。這是雙方首次在和解成立後3個月發布擴產計劃，階段性提高3D NAND Flash產量，以藉此挽回錯失的市場機遇。

去年底，東芝宣布Fab 7興建計劃，並表明未來每年將投入三千數百億日圓進行投資。

集邦諮詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，東芝Fab 7有別於以往廠房集中於四日市，廠址改設在岩手縣北上市，該廠投入量產的時程將落在2019年下半年後，主要投產96層以上的3D-NAND Flash，對整體產出真正產生影響的時間點將落在2020年。

DRAMeXchange分析指出，基於各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產能，在2019年以後3D-NAND Flash市場預期會再度進入供過於求格局。

IHS Markit報告預估，明年全球NAND Flash供給將提高39.6%至2,441億GB。其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增39%至879億GB。與此同時，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB，供給超出需求17億GB，供給過剩比率約為0.7%。這將會使得快閃記憶體邁入新一輪的殺價潮。

數據市場崛起，Flash成為香餑餑

從根源上看三星等廠商擴大產能，與市場上的預期有關。隨著5G、自動駕駛物聯網和AI的到來，圍繞著數據的生意正在快速增長。

根據英特爾CEO Krzanich的預測，到2020年，每天人均產生的數據量為1.5GB；一輛無人駕駛汽車每天會產生4TB數據；每個小型工廠每天生產1PETA數據；截止2020年，將擁有500億台智能設備。

Krzanich還表示，數據將作為創新的根基，目前發展的技術，比如人工智慧、虛擬現實、自動駕駛以及5G通信，都和數據有著緊密的聯繫。這就給數據中心帶來了龐大的增長，當中就包括存儲。

中國快閃記憶體市場也表示統計，2017年全球半導體儲存市場規模為950億美元，預計2020年可成長至1,200億美元，NAND Flash和DRAM市場比重分別為42%和53%，其他為5%，其中，NAND Flash市場規模在2017年為400億美元，預計2020年將成長至650億美元，超越DRAM市場的規模。

在CFM看來，快閃記憶體需求高速增長的市場八廓了供應雲端伺服器市場，客戶包括Facebook、亞馬遜(Amazon)、百度、阿里巴巴、Google等，2017年市場規模1,840萬台，2018年預計達2,040萬台，到了2020年上看2,230萬台，屆時的密度高達892億GB。

可以看到，這些廠商都是有備而來。

中國存儲產業成為意外「受害者」

在幾大廠商加速存儲布局，搶佔下一個未來的時候，正在緩慢前進的中國NAND Flash產業或將受到衝擊。

為了擺脫類似去年那樣的快閃記憶體漲價潮，打造自主的產業鏈，中國大陸從幾年前開始就大幅度投入NAND Flash，並與最近取得了不錯的成果。

據DIGITIMES去年11月的報道，紫光集團旗下長江存儲已成功研發32層3D NAND Flash晶元。

長江存儲是專註於3D NAND技術的代表隊，更是紫光集團投入半導體產業的重量級代表作。業內半導體人士透露，長江存儲11月將32層3D NAND晶元導入SSD內，進行終端產品測試成功，代表大陸3D NAND研發邁入新里程碑。長江存儲原本規劃12月底才提供32層3D NAND樣本，然該顆晶元樣本提前出來，且第一版就通過終端實測，象徵研發獲得重大突破。

DIGITIMES進一步指出，然最關鍵的研發一環已有小成，但後期量產的良率也是成敗的關鍵，未來要進入量產，勢必要達到一定的良率，確保每片3D NAND的可用晶圓數量，成本結構才會具有市場競爭力。

在產能規劃方面，業者透露，長江存儲已預定5000片產能的機台設備，預計2018年第2季投入試產，進度快慢要看良率而定，一旦長江存儲3D NAND大量投片產出，可望打破全球3D NAND門票都掌握在國際大廠的局面。

市場上也一度傳出，長江存儲獲得了和蘋果合作的可能。但也許這波快閃記憶體廠商的擴產潮，會給長江存儲的前景造成不小的影響。

對於終端客戶來說，選擇一個新的供應商，或許因為你的產品夠好，又或者是因為其他供應商的價格偏高。如果快閃記憶體產業陷入了殺價潮，那麼對長江存儲來說，優勢就不是很明顯了。

回看DRAM的發展史，當年韓國廠商也是透過擴產、降價等方式，將當時如日中天的日本DRAM產業和尚在襁褓中的台灣地區DRAM扼殺在搖籃中，對於正在崛起的中國存儲來說，如何避免陷入這種困境，是在提高產品質量和供應的時候，需要考慮的另一個問題。

但可以看到的是，不同於日台等地區的廠商，中國大陸龐大的市場需求，也許是長江存儲的致勝法寶。

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