三星證實平澤NAND晶圓廠發生停電事故：不會造成顯著影響

據 Digitimes 最新消息，三星位於 Pyeongtaek平澤的NAND Flash晶圓廠在3月9日出現停電事故，停電時間持續半小時。市場觀察人士稱，三星平澤NAND廠一層樓一個月約有9萬片產出，在三星NAND Flash晶圓廠半小時停電期間，大約5000-6000片晶圓被損壞，3月份受損的晶圓相當於三星整體NAND Flash產量的11%左右，TechNews 預計損失相當於3月份的全球供應的3.5%左右。

三星方面則表示，雖然NAND Flash晶圓廠停電約半小時，但備用電源(設計為20分鐘)的有效啟動應對了突髮狀況，所以不會對NAND Flash運營造成顯著影響。

DRAMeXchange數據顯示，NAND Flash市場在2018年第一季度出現了輕微的供過於求的局面，這是因為去年缺口明顯時，主要NAND Flash晶圓廠均加碼提升產能和良率，同時主要供貨商亦提高3D NAND Flash的產量，加上終端市場需求增長因季節性因素而放緩，NAND合約定價保持平穩或略有下降。

至於受三星停電事故的影響，行業消息人士稱這一事件或能在未來幾周影響整體市場供應和價格。但其實目前NAND市場依舊處於小幅度的供給過剩，加上三星本身有足夠庫存可以支應，所以即使發生短時間跳電事件，業界普遍認為對於近期市場供需影響不會很明顯。

另一方面，自去年底開始出現的NAND供給過剩問題，市場通路端歷經超過一季的庫存去化之後，現階段通路庫存水位已經明顯偏低，加上市場需求有緩步回溫跡象，為此，內存業者提到，原先第三季才有可能出現的供不應求壓力，有機會慢慢在今年5月或是6月間就看得到。

（國際電子商情微信ID：esmcol，本文綜合財訊快報、電腦領域報道）

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