再創新里程碑！廈門聯芯 28 納米 HKMG 試產良率達 98％

集微網消息，繼 28 納米 Poly/SiON 製程技術成功量產以來，聯芯集成電路製造（廈門）有限公司再次取得了技術發展上的新里程碑。據悉，廈門聯芯已於今年 2 月成功試產採用 28 納米 High-K/Metal Gate 工藝製程的客戶產品，試產良率高達 98%。

目前，聯芯能同時提供 Poly/SiON 和 High-K/Metal Gate 工藝技術。

據介紹，聯芯 28 納米 High-K/Metal Gate 工藝製程採用了目前全球最先進的 Gate Last 製程技術，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管的性能，可以應用於更多樣化的各類電子產品。

對此技術突破，聯芯首席執行官暨副董事長許志清表示非常開心，並期望未來進一步強化與客戶合作，積極推動產品量產。

聯芯集成電路製造項目位於福建省廈門市翔安區，本工程佔地面積約 25.5 萬平方米，總建築面積約 36.8 萬平方米。項目投資約 62 億美元，分兩個階段實施，其中第一階段建設全部廠房及構建築物設施，並安裝設備形 2.5 萬片/月的生產能力；第二階段在第一階段基礎上安裝設備再形成 2.5 萬片/月的生產能力。項目全部建成後形成 12 英寸、線寬 55-28nm 的集成電路晶元共 5 萬片/月的生產能力。

可以說，聯芯集成電路製造項目是海峽兩岸合資建設的第一座 12 英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項目。聯芯於 2016 年 11 月正式營運投產，目前公司正全力提速至滿載產能。

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