廈門聯芯工藝取得重大突破 28納米HKMG試產良率達98％

位於廈門火炬高新區的聯芯集成電路製造（廈門）有限公司日前傳來喜訊，已於今年2月成功試產採用28納米High-K/Metal Gate 工藝製程的客戶產品，試產良率高達 98%。這是該公司28納米Poly/SiON製程技術成功量產以來，再次取得了技術發展上的新里程碑。

聯芯集成電路製造項目總投資62億美元，是海峽兩岸合資建設的第一座12英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項目。聯芯於2016年11月正式營運投產，目前公司正全力提速至滿載產能。

據介紹，聯芯28納米High-K/Metal Gate 工藝製程採用了目前全球最先進的Gate Last製程技術，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管的性能，可以應用於更多樣化的各類電子產品。 對此技術突破，聯芯首席執行官暨副董事長許志清表示非常開心，並期望未來進一步強化與客戶合作，積極推動產品量產。同時他也為聯芯團隊在短短時間內所取得的成績而感到驕傲和自豪。

聯芯能同時提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工藝技術，成為國內最先進的28納米晶圓專工企業，標誌著廈門集成電路製造水平又邁上了一個新台階，對奠定廈門集成電路產業在全國的戰略地位具有重要意義。

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