一張圖看懂大陸GaN電力電子和射頻器件產業鏈
以SiC、GaN等為主的第三代半導體材料在大功率、高溫、高頻、抗輻射的微電子領域,以及短波長光電子領域,有明顯優於Si、Ge、GaAs等第一代和第二代半導體材料的性能。第三代半導體材料正在成為搶佔下一代信息技術、節能減排技術及國防安全技術的戰略制高點,是戰略性新興產業的重要組成部分。
前期,我們曾為大家圖示了SiC電力電子器件產業鏈《一張圖看懂SiC電力電子器件產業鏈》,獲得了眾多讀者的關注,在此感謝那些在公眾號留言補充和修正的讀者。接下來,我們將通過一張圖為大家介紹下大陸GaN器件產業鏈的情況,企業排名不分先後。
III族氮化物半導體具有寬的直接帶隙,優異的物理、化學穩定性,高飽和電子漂移速度,高擊穿場強等優越性能,是發展高頻、高溫、高功率電子器件的最優選材料。在III族氮化物材料體系中,AlGaN/GaN異質結構是迄今為止研製高溫、高頻、大功率電子器件最重要和最基本的材料體系。
GaN產業鏈包括上游的襯底和外延環節、中游的器件和模塊製造環節以及下游的應用環節。當然還有配套的設備、材料等環節,本期不做重點介紹。
襯底環節
大陸GaN襯底生產企業主要包括蘇州納維和東莞中鎵。
1、蘇州納維
蘇州納維科技有限公司成立於2007年5月,公司以中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依託,專註於從事氮化鎵襯底晶片及相關設備的研發和產業化,提供各類氮化鎵材料,目前公司擁有核心技術專利近三十項,是中國首家氮化鎵襯底晶片供應商。
2、東莞中鎵
東莞市中鎵半導體科技有限公司成立於2009年,總部位於廣東省東莞市,擁有17000多平方米的廠房和辦公區,是國內領先的專業從事第三代半導體材料研發和製造的高新技術企業。中鎵公司創造性地採用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法,開發出系列氮化鎵(GaN)襯底產品。公司主營產品有:(1)GaN基襯底材料,包括自支撐GaN襯底,GaN/Al2O3複合襯底等;(2)生產上述產品的設備,包括激光剝離設備、HVPE設備等。
外延環節
電力電子應用領域,大陸GaN外延企業主要包括晶湛半導體、江蘇能華、華功半導體、英諾賽科和大連芯冠。
射頻應用領域,大陸GaN外延企業主要包括晶湛半導體和蘇州能訊。
上述企業中,晶湛半導體是專業的GaN外延代工企業,其他企業為IDM模式的GaN器件生產企業。
1、晶湛半導體
蘇州晶湛半導體有限公司成立於2012年3月,坐落於江蘇省蘇州工業園區納米城。公司致力於為微波射頻和電力電子器件應用領域提供高品質氮化鎵外延材料,產品包括Si基、藍寶石基和SiC基氮化鎵外延片。
器件、模組環節
目前,GaN器件的生產已經開始出現分工,但目前仍以IDM模式為主。
水平分工層面,GaN器件的生產分為晶元設計、晶元製造和封裝測試環節。大陸晶元設計企業包括安譜隆半導體、海思和中興微電子等,代工企業包括三安集成和海威華芯。
電力電子應用領域,大陸GaN器件和模組IDM生產企業主要包括江蘇能華、華功半導體、英諾賽科和大連芯冠。
射頻應用領域,目前大陸GaN器件和模組IDM生產企業是蘇州能訊。
1、安譜隆半導體(Ampleon)
2015年5月,建廣資產以18億美元收購NXP旗下的RF Power部門成立安譜隆半導體(Ampleon),主要業務包括LDMOS、SiC基GaN功率放大器等射頻器件的設計。公司總部位於荷蘭奈梅根,2016年安譜隆半導體落戶合肥高新區。安譜隆半導體(合肥)有限公司作為荷蘭Ampleon公司在中國區的研發和銷售中心,致力於在射頻技術等領域的創新和研發。
2、三安集成
三安集成註冊成立於2014年,目前在第三代半導體領域定位做代工服務。公司成功收購瑞典SiC襯底和外延生產企業Norstel,並與美國代工企業GCS設立合資公司三安環宇,三安持股51%。
3、海威華芯
2015年,四川海特高新技術股份有限公司收購中電科29所旗下成都嘉石科技,控股53%,成立海威華芯。2016年4月,海威華芯第一條6英吋第二代化合物半導體集成電路生產線貫通,該生產線同時具有砷化鎵、氮化鎵以及相關高端光電產品的生產能力。同時公司在GaN、SiC等化合物半導體領域已逐漸展開布局。
4、江蘇能華
公司成立於2010年6月,是由國家千人計劃專家朱廷剛博士領銜的,由留美留澳留日歸國團隊創辦的一家專業設計、研發,生產、製造和銷售以氮化鎵(GaN)為代表的複合半導體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、晶元和模塊的高科技公司。
5、華功半導體
江蘇華功半導體有限公司成立於2016年5月,註冊地在蘇州吳江區汾湖高新技術開發區。公司註冊資本5億元人民幣,核心業務涵蓋以第三代半導體氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為主的電力電子器件全產業鏈產品。包含GaN材料和晶元,半導體功率器件和模塊封裝以及終端應用的開發、推廣,開展研發、生產、銷售和服務。公司由國內著名機構北京大學、中山大學、中國電子信息產業集團(CEC)下屬彩虹集團合肥藍光公司以及東莞中鎵半導體集團公司合作,共同投入專有技術和研發力量;由國廣資本和大豐集團投入資金共同組建。
6、英諾賽科
英諾賽科是2015年12月由海歸團隊發起創辦,從事寬禁帶半導體電力電子器件的研發與生產,一期項目位於珠海市國家級高新區,已完成投資10.9億元,建設8英寸增強型硅基氮化鎵外延與晶元大規模量產生產線。公司商業模式將採用IDM全產業鏈模式,打造集研發、設計、外延生長、晶元製造、測試於一體的生產平台。
7、大連芯冠
大連芯冠科技有限公司是一家半導體集成電路高新技術企業,主要從事第三代半導體功率器件的研發、設計、生產和銷售。公司於2016年3月在大連高新技術產業園區遼寧省集成電路設計產業基地成立,註冊資本人民幣4000萬元。公司研發生產產品包括第三代半導體氮化鎵外延以及氮化鎵功率器件,主要應用於電源管理、太陽能逆變器、電動汽車以及馬達驅動等商業領域。
8、蘇州能訊
蘇州能訊是由獲得中國第一批「千人計劃」支持的海外歸國人員創辦的高新技術企業。公司創立於2007年,目前註冊資本為2.79億元,公司總部位於江蘇省蘇州市崑山國家高新區晨豐路18號,並在西安、南京設立了研發中心。能訊半導體致力於GaN射頻功率器件的開發和生產,目前是國內除科研院所外唯一一家在GaN射頻功率器件領域擁有獨立氮化鎵FAB 工廠和生產能力的IDM公司。
應用環節
GaN電力電子器件在消費類電源、不間斷電源和光伏逆變器等領域逐漸打開市場。
射頻應用領域,5GHz以上的宏基站中,GaN器件正在逐漸搶佔Si LDMOS的市場份額,但在移動終端領域,目前仍受制於高成本和高供電電壓等問題。此外,GaN射頻器件已經開始滲透到國防軍工等領域。
以上就是本期大陸GaN產業鏈的全部內容,歡迎大家留言補充和修正!
出自:材料深一度
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