今日維納/光電/半導體/材料快報
ONE
Nat. Nano: Direct imaging of the electron liquid at oxide interfaces
打破跨越氧化物異質結的對稱性會導致電子軌道在界面處被重構為不同於對應的體材料的能量狀態。軌道重構很大程度上影響了佔據界面軌道的電子的空間局限和物理性質。這篇文章表面，利用在LaAlO3/ SrTiO3界面上形成的具有不同晶體對稱性的二維電子流體的例子，電子的選擇性軌道佔據和空間量子限制可以通過使用內聯電子全息術的亞納米級解析度來解決。對於標準（001）界面，通過內聯電子全息術獲得的電荷密度圖表明二維電子流體局限於界面左右1.0±0.3nm的狹窄空間里。然而，在（111）界面處形成的二維電子流體局限在更寬的空間中（?3.3±0.3nm），最大密度位於離界面約2.4nm處，與密度泛函理論計算的結果相吻合。
TWO
Nat. Nano: Spatially controlled doping of two-dimensional SnS2through intercalation for electronics
摻雜半導體是現代電子器件最重要的構建元素。二維材料的出現使得實現原子級厚度集成電路成為一種可能。然而，這些材料的2D特性使它們很難使用傳統的離子注入法進行載流子p或n型摻雜，從而進一步妨礙了二維材料器件的開發。在這篇文章中，作者報道了一種基於溶劑的二維材料插層摻雜方法，可實現原子級厚度p/n型二維材料半導體。與自然生長的n型S空位SnS2相比，通過該技術獲得的Cu插層雙層SnS2具有大約40cm2V-1s-1的空穴場效應遷移率，此外通過該技術所獲得的Co-SnS2表現出與石墨烯相當的類金屬表面電阻。將這種插層技術與光刻技術相結合，可以進一步實現原子級p－n－金屬結，這使得平面內橫向異質結集成器件成為可能。因此，所提出的金屬插層方法可以打開集成電路和原子級厚度材料的新世界。
THREE
Nat. Nano: Strong room-temperature ferromagnetism in VSe2 monolayers on van der Waals substrates
范德華二維材料和對應的體材料相比在電學，光學和多體量子性質上有著根本性的不同。所以單層二維材料有可能會出現新的材料性質。鐵磁有序性是其中一種令人關注的特性，能夠有助於低維自旋行為的基礎研究以及實現新的自旋電子學應用。最近的研究表明，對於大塊鐵磁層狀材料CrI3和Cr2Ge2Te6，鐵磁有序度會保持在低溫時的超薄極限。與這些觀察相反，這篇文章報道了單層VSe2的強鐵磁有序排列，而體VSe2材料是順磁性材料。重要的是，此單層VSe2所具有的大磁矩的鐵磁有序在室溫以上仍然存在，使得VSe2成為范德瓦爾自旋電子學應用中非常有吸引力的一種材料。
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