中國研發新型存儲晶元，性能快了100萬倍，耐用性提升156倍

相比三星、東芝、美光等公司，中國現在DRAM內存、NAND快閃記憶體技術上要落後多年，不過中國的科研人員也一直在追趕最新一代技術，前不久有報道稱中國投資130億元開建PCM相變內存，性能是普通存儲晶元的1000倍，現在更厲害的來了——復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬帶領的團隊研發了一種新的二維非易失性存儲晶元，他們使用了半導體結構，研發的存儲晶元性能優秀，是傳統二維存儲晶元的100萬倍，而且性能更長，刷新時間是內存的156倍，也就是說具備更強的耐用性。

DIY玩家應該知道內存、快閃記憶體各自的優缺點——內存速度極快，但是斷電就會損失數據，而且成本昂貴，快閃記憶體的延遲比內存高一個量級，但好處就是能保存數據，同時成本更低，所以業界一直在尋找能同時具備內存、快閃記憶體優點的存儲晶元，也就是能保存數據的同時具備極快的速度，英特爾研發的3D XPoint快閃記憶體就有類似的特性， 號稱性能是快閃記憶體的1000倍，耐用性是快閃記憶體的1000倍，前面新聞提到的PCM相變存儲也是類似的技術，能夠在斷電時保存數據同時性能類似內存，只不過這些新型存儲晶元現在還沒有達到內存、快閃記憶體這樣成熟的地步。

中國學者研發的存儲晶元也是這個方向的，根據他們發表在《自然·納米技術》雜誌上的論文來看，他們研發的存儲晶元使用的不是傳統晶元的場效應管原理，因為後者在物理尺寸逐漸縮小的情況下會遇到量子效應干擾，所以張衛、周鵬團隊使用的是半浮柵極（semi-floating gate）晶體管技術，他們據此展示一種具有范德·瓦爾斯異質結構的近非易失性半浮柵極結構，這種新型的存儲晶元具備優異的性能及耐用性。

具體來說，與DRAM內存相比，它的數據刷新時間是前者的156倍，也就是能保存更長時間的數據，同時具備納秒（ns）級的寫入速度（NAND快閃記憶體的延遲一般在毫秒級），與傳統二維材料相比其速度快了100萬倍。，所以這種新型內存有望縮小傳統內存與快閃記憶體之間的差距。

當然，這個技術進展還是很不錯的，只是別指望技術很快量產，更不可能在未來兩三年內進入市場，但凡同時具備DRAM、NAND優點的新型存儲晶元都有這個問題，並沒有成熟到量產上市的地步，傳統內存、快閃記憶體還有很長的壽命。

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