我國首批32層三維NAND快閃記憶體晶元年內將量產

中國證券網訊

新華社4月11日消息，位於武漢「中國光谷」的國家存儲器基地項目晶元生產機台11日正式進場安裝，這標誌著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND快閃記憶體晶元將於年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。

目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地於2017年成功研發我國首顆32層三維NAND快閃記憶體晶元。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發的晶元，是我國在製造工藝上最接近國際高端水平的主流晶元，有望使我國進入全球存儲晶元第一梯隊，有力提升「中國芯」在國際市場的地位。

據介紹，國家存儲器基地項目2016年由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資240億美元，項目一期總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。

紫光集團董事長趙偉國表示，今年10月設備將點亮投產，預計2019年底64層快閃記憶體產品將實現爬坡量產。未來十年，紫光集團計劃至少還將投資1000億美元，相當於平均每年投入100億美元，進一步拉近我國在高端晶元領域與先進國家的距離。

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