中國科學家又立新功，發明一項新技術，再次獲得世界性突破

隨著現代化進程的推進，各種電子產品充斥在我們的生活之中作為各類電子產品的組成基礎，半導體領域就成為了官家必爭之地。目前中國是世界上最大的半導體消費國，中國的需求量佔到了全球總量的45%，但其中近90%依賴於進口。

中國在各項領域相繼跳級式發展，半導體領域自然也不在例外，雖然中國目前在半導體領域仍處於巨大的貿易逆差之中，但隨著我國科研工作者的努力，我們在這一領域已取得突破，在世界各巨頭還在衝擊7nm技術時，我國中微半導體設備公司正式宣布掌握了5nm技術，而在近日，我國又解決了半導體電荷存儲的一項國際性難題。

據媒體4月10日的報道稱，復旦大學微電子學院解決了國際半導體存儲技術中一個難題，開創了全新一代的第三類存儲技術，顛覆性的實現了二維半導體准非易失存儲原型器件，使電子元件的寫入速度比現在市面上最好的快閃記憶體U盤快了一萬倍。

目前世界上的半導體電荷存儲技術主要分為電腦快閃記憶體式斷電即清除數據的易失性存儲技術以及我們常用的U盤、電腦硬碟等在寫入數據後，最長可保存10年的非易失性存儲技術，而此次復旦大學研發新一代存儲技術，不僅具有電腦內存的寫入速度，還可按需調控數據准非易失特性。

這一新技術在完美的降低了存儲功耗的同時也在特殊的應用總解決了保密性和傳輸時間的問題。雖然我國的半導體產業發展相對滯後，但我國仍然在迎頭趕上，根據《中國製造2025》的規劃我國的半導體晶元自給率在2025年要達到一個非常之高的目標--50%，這意味著我國的半導體產業的總體產值必須在那時達到35%，成為全球第一。

作為現代化工業的「糧食」，半導體可以說極大的制約一國的發展，雖然目前中國同發達國家比仍具有一定的差距，但隨著國家的重視，我國科研工作者的努力，我國在半導體領域正向好的方向發展，中國在核心技術不再是「門外漢」。

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