《硅上氮化鎵（GaN-on-Silicon）晶體管對比分析-2018版》

GaN-on-Silicon Transistor Comparison 2018

——逆向分析報告

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麥姆斯諮詢 王懿

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深入探究EPC、Transphorm、GaN Systems、松下（Panasonic）和德州儀器（Texas Instruments）的硅上氮化鎵（GaN-on-Silicon）技術和成本

據麥姆斯諮詢報道，氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）市場非常誘人，因此越來越多的廠商加入該領域，這也驅動相關產品價格下降，並使得GaN器件成為目前常用的硅基功率開關晶體管（如MOSFET和IGBT）的競爭產品。

硅上氮化鎵晶體管廠商的路線圖

儘管如此，技術細節仍然懸而未決，每家廠商都提出了自己的解決方案來進行GaN器件設計與封裝集成。這帶來激烈的競爭，加速技術創新，進一步降低價格。此外，GaN商業模式依然不同，未來我們將看到主要由成本因素驅動的供應鏈重組。廠商在外延、柵極結構、器件設計和封裝集成方面有不同的方法，這些方法都集中於解決與GaN固有特性相關的問題，以及與硅的集成。

在本報告中，我們介紹了硅上氮化鎵技術的發展現狀，以突出器件設計和製造工藝的差異，以及它們對器件尺寸和生產成本的影響。我們分析了EPC、德州儀器、松下、GaN Systems、Transphorm的低壓和中壓產品，包括封裝、晶體管結構和外延等，涉及光學照片、掃描電子顯微鏡（SEM）照片、透射電子顯微鏡（TEM）照片。

本報告還提供集成電路柵極驅動器、晶體管和封裝的生產成本預估，並將其與市場上不同的器件進行對比分析。

以下是本報告的精彩掠影，供參考：

市場上主要的氮化鎵（GaN）功率器件

中壓SJ MOSFETs與GaN HEMT的品質因數（FOM）比較

GaN HEMT分析

功率器件RDS(ON)的演變 - 中壓

GaN器件設計技術

GaN器件封裝技術

多晶元集成技術

EPC器件分析

EPC1010器件分析

德州儀器LMG5200封裝特性

TPH3002PS器件分析

MOSFET晶元尺寸

功率器件供應鏈分析

EPC GaN晶體管工藝流程分析

GaN Systems供應鏈分析

晶圓和晶元的結構與成本比較

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