台積電、世界先進GaN製程投片量大增，將進入收割期

來源：聯合早報

受惠於5G即將邁入商轉及車用電子、物聯網大勢所趨，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）進入快速成長期，國際IDM大廠高端產品相繼跨入第三代半導體材料製程，台積電、世界先進GaN製程投片量大增，今、明兩年進入收割期。

台積電與世界先進著手研發GaN製程技術多年，技術成熟進入量產，目前台積電6英寸產能開出GaN製程提供德商戴樂格（Dialog）產出電源轉接晶元；而世界先進則與設備材料廠Kyma、轉投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作，在去年陸續為電源管理IC客戶開出8英寸產能。

Dialog指出，以GaN生產電源轉換控制器具備高效率、體積小、更高功率優異特性，帶來全世界最快速的電晶體。集邦科技旗下拓墣產業研究指出，GaN與SiC除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使晶元面積可大幅減少，並能簡化周邊電路的設計。

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