紅米S2正式宣布;中芯國際14nm 2019年量產……
AMD二代撕裂者、Intel新8核i7齊曝
去年,AMD和Intel紛紛在台北電腦展上為外界端出頂級盛宴,線程撕裂者和Core X/i9同台亮相。今年,雙雄將繼續參展,從目前泄露的情況來看,第二代的線程撕裂者以及8核Coffee Lake桌面CPU。
日前,德國IT商Bluechip關於Intel/AMD晶元組的2018更新計劃在網上曝光,30分鐘的PPT演示中進一步確認了相關信息。
AMD方面,Z490主板定於6月推出,B450主板定於7月底發布。Z490紙面現有的信息是,它比X470多出幾條PCIe通道,作為AM4介面的高端產品。B450取代的應該是B350,是頗受歡迎的AM4介面中端晶元組。
不過,根據路線圖,二代線程撕裂者(基於12nm Zen+架構)完成全平台部署需要等到8月份了,也就是說「X499(X399 Refresh)」要等等了。另外,FM2+介面的A68主板定於秋季之前退役。
Intel這邊定於三季度推出的Z90主板,其中基於8核心的主流級桌面CPU將在6月份外出工程散片。
紅米S2正式宣布
5月2日,小米官方發布新品預告,預熱海報中一個大大的「S」讓網友紛紛猜測,會不會是小米新一代自研晶元澎湃S2,還是小米S系列新機?今天,官方揭曉了最終答案——全新的紅米「S」系列手機,紅米S2。
據悉,小米將於5月10日在蘇寧易購南京總部舉辦紅米S2新品發布會,繼續由劉昊然代言,從發布會的地點來看,看來兩家將宣布深度合作。
有關紅米S2的消息此前已經曝光。有網友在國外的小米之家拍到了這款新機,其採用和小米6X類似的外觀設計,包括5.99英寸18:9全面屏(720p+)、背後豎排雙攝+後置指紋,機身為金屬材質。
據悉,新機將搭載驍龍625處理器,有2GB、3GB以及4GB三個內存版本可選,前置500萬像素自拍鏡頭、後置1200萬像素+500萬像素雙攝,支持人像模式、人臉解鎖,內置3080mAh電池。預裝基於Android 8.1的MIUI 9。
由此來看,紅米S2定位入門全面屏手機,參照配置依然會衝擊千元以下價位,主打線下。
國產OLED屏發展迅猛
在OLED屏幕上,三星和LG目前算是這個行業的領導者,一個是霸佔了中小尺寸OLED屏,而另外一個則是高端大屏,而國產廠商一直在拚命追趕著它們。
隨著OLED屏幕的發展和越來越多使用,接下來它將突破完全把LCD屏壓在身下,引領整個行業的發展。根據市調機構Fuji Chimera Research的統計報告顯示,2022年全球AMOLED面板市場規模將達413.6億美元,這個數字將達到2016年的三倍。
報告中還指出,2019年OLED面板屆時市場規模將達263億美元,徹底超越LCD屏幕市場。
目前國產廠商咋OLED屏幕上的發展非常迅速,其中據說京東方已經進入了蘋果OLED屏幕的供應體系,而蘋果為了削弱三星的範圍,開始在iPhone的OLED屏供應上,拉入更多的供應商,除了京東方外,LG也是主要扶持廠商。
據悉,2022年後國產OLED屏幕市場規模有望超越三星、LG等韓系廠商。
NVIDIA新一代筆記本獨顯年底推出
從去年底的GTX 2080傳到今年初的GTX 1180,不少人翹首以盼的NVIDIA全新顯卡一直是密不透風。
近日,一位技嘉筆記本的官方客服人員在OverclockersUK透露,Aero 15X筆記本會在年底之前更新到下一代移動GPU平台。
Aero 15X是技嘉去年推出的Max-Q平台筆記本,也就是採用的NV主導的輕薄遊戲本集成化設計,GPU核心方面也做了相應優化。外媒由此推測,新一代GeForce移動平台的顯卡需要等到年底才能更新了。
雖然說桌面和移動平台獨顯是會錯峰更新,可這證明,桌面顯卡肯定不會特別早了。
就目前釋放出來的信息看,6月的台北電腦展基本沒戲,最快也許就是8月份的科隆遊戲展了。
飛一般的DDR5內存來了
DDR4內存目前是絕對主流,不斷被深入挖潛,頻率已經突破5GHz,不過下一代DDR5也已經蠢蠢欲動了。Cadence公司今天就宣布了DDR5的全新進展,無論工藝還是頻率都相當領先。
目前,JEDEC標準組織正在研究下一代DDR5內存規範,已經有了初步版本,Cadence此番拿出的就是面向新規範的第一個DDR5 IP物理層介面晶元。
該測試晶元採用台積電7nm工藝製造,數據率可達4400MT/s,也就是頻率高達4400MHz,相比目前商用最快的DDR4-3200快了多達37.5%。
為了支持Cadence DDR5 PHY物理層的驗證和協作,美光也向其提供了DDR5內存初步版本的工程原型。
在此之前,Rambus也曾經提到過7nm工藝下的DDR5 IP,並預計DDR5內存要到2020年才會商用,首批自然還是伺服器和數據中心,消費級就更靠後了。
AMD曾保證說現在的AM4介面會一直支持到2020年,到時候極可能就會更換新介面,加入對DDR5的支持。
中芯國際14nm 2019年量產
日前,北京日報報道了中芯國際,提到了中芯國際在晶圓廠、半導體裝備、製造工藝等方面的一些進展。
除了常聽到的光刻機之外,還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火設備等等,在這方面中芯國際也積極支持國產裝備,過去七年中國產半導體裝備的佔有率從1%提高到了15%。
同時,中芯國際還在不斷縮小與國外先進工藝的差距,按照原文的說法,中國集成電路先進位造工藝已經從之前落後國際4到5代縮小到了1-2代的差距,中芯國際的14nm工藝預計會在2019年上半年量產。
對於國產14nm工藝,這是2015年比利時國王訪華時中比雙方簽訂的一系列合作之一,當時中芯國際、華為以及高通聯合IMCE簽署了合作協議,研發14nm FinFET製造工藝,預定目標是2020年之前量產,現在來看進度還是OK的。
在14nm量產之後,中國半導體工藝與世界先進水平的差距確實大大縮小了,28nm、14nm以及未來的7nm都是高性能節點,會長期存在,所以只要能量產出來,對發展國產高性能晶元都是有益的。
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