速度快1000倍！中國集中優勢資源「攻關」國產晶元
速度快1000倍！中國集中優勢資源「攻關」國產晶元
博覽財經消息整理，據長江日報消息，5月2日，華中科技大學光電學院副院長繆向水稱，武漢光電國家研究中心研發團隊正在全力研發「下一代存儲晶元」。
繆向水稱，我們正在攻關的是基於相變存儲器的3D XPOINT存儲器技術，預計明年能在實驗室研發成功。
到時候，晶元的讀寫速度會比現在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦產業化成功，將顛覆產業格局——目前，英特爾等產業巨頭也在研究這一方向。
決策層期待的「國產芯」正在全面落實
此前決策層在武漢考察時，專門來到武漢新芯集成電路製造有限公司，察看集成電路生產線，了解晶元全流程智能化製造和加快國產化進程等情況。
並強調要實現「兩個一百年」奮鬥目標，一些重大核心技術必須靠自己攻堅克難。機遇前所未有，挑戰前所未有。
可以預料，後期在國產晶元製造等關鍵領域自然少不了政府的補貼和大力扶持，而且是會被放在最優先項的。
這也意味著後期資本市場也將是著重為晶元等新經濟服務的。
第二期國家集成電路基金會帶來驚喜
實際上，工信部總工程師、新聞發言人陳因日前就表示，歡迎各方企業參與第二期國家集成電路產業基金的募集。
在中美貿易摩擦逐步升級大背景下，國家發展自主晶元的意願將更加堅定，隨著1200億元的大基金二期募資即將完成，存儲器、化合物半導體及IC晶元設計作為其投資重點。
據了解，大基金二期將在記憶體、碳化硅及氮化鎵等化合物半導體、以人工智慧及物聯網為主的IC設計等三大領域加強投資。
目前半導體各核心設備中，單晶爐、刻蝕機、薄膜沉積設備、後道檢測設備等已能全面滿足28nm製程產品的生產，並成為國內主流晶元新產商的產線baseline機台，14nm設備也在持續驗證中，有望在未來兩年內進入產線。
分析指出，在目前中美貿易關係緊張、美國加大對中國高端設備進口限制的背景下，國產半導體設備或迎來發展的黃金時期，有望被更多國內廠商試用並採購，並受益於2017-2020年間的晶圓產線建設潮。
三大國產晶元商即將進入量產收穫期
據悉，當前，我國存儲器的三大廠商—長江存儲、合肥長鑫和晉華集成的試產時間都將在2018年下半年；量產時間在2019年上半年；預計2019年將成為我國存儲器的量產元年。
長江存儲、合肥長鑫和晉華集成分别致力於 NANDFLASH、移動存儲晶元和普通存儲晶元的研發和生產。
據披露，長江存儲已成功研發32層3D NAND，2018年年底量產後將打破該產品完全依賴進口的局面。
而存儲器的發展離不開上游IC設計的支持，在存儲器國產化浪潮的趨勢下本土IC設計公司有望受益。
此外，技術水準位列全球第一梯隊的國內封測公司有望獲得增量訂單，國產存儲器的發展將帶動本土集成電路上下游協同發展。
晶元概念5月份可繼續關注
總之，雖然，前期市場晶元概念在上漲之後有所回調，但在政策扶持，以及中美貿易談判等驅動因素影響下，晶元概念在5月份還將受到資金關注。
來源：博覽財經
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