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Small Methods:基於褶皺石墨烯電極聚合物阻變存儲器的普適製備

聚合物阻變存儲器具有結構簡單、可設計性強、製備容易以及成本低等優點,在下一代數據存儲和邏輯電路等方面有著廣泛的應用前景,引起了學術界及產業界的關注。其中非易失性一次寫入多次讀取(WORM)存儲器具有非易失性和不可擦除的特性,可以實現存儲數據有效可靠地永久保存,在重要檔案、資料庫及電子標籤等領域具有應用價值。前期研究工作中,研究者主要集中於器件中間層活性存儲材料的設計與製備,諸如有機-無機雜化材料、給體-受體共軛聚合物、金屬配合物和構象轉變聚合物等,面臨著材料複雜、可靠性低等挑戰。因此,如何實現一種基於簡單材料、製備簡單、可靠性高聚合物存儲器的普適製備具有實際意義。

近日,南京工業大學先進材料研究院黃維院士與劉舉慶教授課題組受智於生活中閃電現象(既尖端產生高電場易擊穿絕緣體導通),採用表面褶皺石墨烯薄膜為電極,中間存儲活性層採用常見的廉價絕緣性聚合物(諸如PMMA、PS、PVP等),實現了一種非易失性高性能聚合物阻變存儲器件的普適性製備。該器件展現了典型的WORM存儲特性,具有優異的重複性、較低的寫入電壓(2.7 V)、較高的開關比(104)、良好的保持特性(104 s)、柔性存儲等特性。通過一系列基於不同形貌電極的同種聚合物器件進行對比發現,表面褶皺是器件實現阻變存儲特性的關鍵。該種聚合物阻變存儲器具有材料普遍、可柔性製備、重現性好,性能高等突出優點,為聚合物存儲技術的柔性化及應用化研究提供了有益借鑒。

相關文章發表在Small Methods(DOI: 10.1002/smtd.201800048)上。

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