一文了解集成電路總體、DRAM、FPGA 和光刻設備領域的專利態勢

集微網消息（文/茅茅），近日，中國集成電路知識產權聯盟秘書處綱正知識產權中心發布了《集成電路專利態勢報告(2018版)》。該報告分別從集成電路總體、DRAM 領域、FPGA 領域、光刻設備領域這四個方面，分析了各個領域的專利態勢。

集成電路總體專利態勢

首先來看集成電路總體的專利態勢，據報告顯示，集成電路領域專利申請量態勢逐年增長。2010年-2015年間年均增長率 5.89%，其中 2015 年增速最高，達到 9.28%。

圖源：中集知聯（下同）

截止到 2017 年 12 月 31 日，集成電路領域全球公開專利申請 209.7 萬件，授權 144.5 萬件。其中，中國大陸申請 46.4 萬件，授權 27.8 萬件，緊隨美國和日本之後，位列第三。

報告指出，《國家集成電路產業發展推進綱要》等全國及地方各層面戰略新興產業規劃的相繼出台營造了良好發展環境，激發企業活力和創造力，帶動產業鏈協同可持續發展，推動中國集成電路領域跨越式發展。

截至目前，全球專利申請總量的冠軍是三星，隨後分別是 NEC、高通、日立、富士通、松下、東芝、三菱化學、IBM 和索尼。可以看到，在前十名中有一家韓國企業、兩家美國企業和七家日本企業。

而在中國大陸專利申請總量排名中，排在第一和第二位的分別是中興通訊和華為。隨後分別是三星、國家電網、高通、京東方、松下、OPPO、英特爾和台積電。

從 2017 年新公開的全球專利申請量排名來看，高通和三星仍佔據前兩位。值得一提的是，排名前十的企業中，有三家中國企業上榜，分別是華為、中興和京東方，可見中國企業 2017 年也在全球持續大量布局。

而在 2017 年新公開的中國大陸專利申請量排名中，申請量最大的為中興通訊，其後為國家電網、努比亞和華為，與中國大陸申請總量排名差異不大。值得一提的是，OPPO 和小米等中國廠商進入前十，表明近年來在加強專利布局方面正在逐步追趕。

在集成電路行業專利技術領域排名（IPC 大組前十）中，申請量較大的領域集中於集成電路的製造、零器件、數據交換與傳輸、光刻設備以及存儲器。

在中國大陸內地省市專利排名中，廣東省集成電路專利申請量達 90790 件，位居全國首位。北京、江蘇、上海和浙江緊隨其後，分別以52067件、35336件、31298件、24493件專利申請量位居第二、三、四、五位。

總體來看，全球集成電路行業專利態勢呈現五個特點：一是全球範圍內集成電路行業的專利申請量現階段趨於穩定；二是在申請人和申請地域兩個維度呈現聚集的特點；三是申請人以企業為主；四是 2017 年，集成電路領域專利公開量仍然較大；五是中國信息技術申請總量中佔比較高的多為經濟發達地區。

DRAM 領域專利態勢

在 DRAM 領域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開專利申請 14 萬餘件，全球申請總量排名日本最高，其後是美國和韓國。其中，中國大陸專利 6 千餘件，位居第六位。

DRAM 行業專利申請高峰期在 1995 年到 2006 年。1995 年申請量開始新一輪激增，正是 DDR 技術開始發展的時期。巔峰時期可以達到年申請量 6000 多件，從 2007 年開始專利申請量逐年下降，近兩年維持在每年 2000 件左右。

在全球 DRAM 專利申請總量排名中，位居前列的主要申請人有：三星、海力士、美光和日立。值得注意的是，這與 DRAM 內存市場佔有率也相匹配。

而在中國大陸 DRAM 專利申請總量排名中，位居前列的企業主要有：海力士、三星、NEC 和IBM等。

總體來看，DRAM 領域專利態勢呈現三個特點：一是 DRAM 領域技術發展較為成熟，技術研發投入有所減少；二是 DRAM 研發重心在於 DRAM 操作和設計方面；三是 DRAM 領域知識產權作用巨大。

FPGA 領域專利態勢

在 FPGA 領域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開專利申請 8 萬餘件，全球申請總量排名中國大陸最高，總共申請專利 2 萬餘件，其後是美國和日本。

FPGA 領域全球專利申請經歷了三個階段，第一個階段是 1989 年到 2000 年，處於萌芽期，申請量較少，第二階段是 2001 年到 2012 年，是 FPGA 產業的快速發展期，年申請量直線上升，第三階段是 2013 年到 2017 年，上升趨勢趨於穩定，年申請量小幅上升。

在全球 FPGA 專利申請總量排名中，位居前三的企業為 ALTERA、賽靈思和 L attice。值得一提的是，在前十的排名中，有兩家中國企業也入圍了，分別是位居第四和第七的中國電網和中興。

而在中國大陸 FPGA 專利申請總量排名中，主要的申請人為國家電網、中興通訊和華為等企業及北京航空航天大學、哈爾濱工業大學、浙江大學和電子科技大學等高校。

報告指出，FPGA 領域專利主要集中在 H03K19/177和 H03K19/173矩陣式排列的邏輯電路，另外，由於 FPGA 中很多涉及硬體電路編程語言的，還有相當一部分專利聚焦在計算機輔助設計、電路測試上。

總體來看，FPGA 領域專利態勢呈現四個特點：一是FPGA領域技術發展較為成熟，上升趨勢趨於穩定；二是全球範圍內，中國、美國和日本申請量位於前列；三是 FPGA 領域專利持有者相對比較集中；四是 FPGA 領域國內主要研發主體還是高校。

光刻設備領域專利態勢

在光刻設備領域，截止到 2017 年 12 月 31 日，全球公開專利申請 8.2 萬件，全球申請總量排名美國最高，其後是日本和韓國。其中，中國大陸專利 1 萬件，位居第四位。

在全球光刻設備專利申請總量排名中，ASML 位居榜首，緊隨其後的是卡爾蔡司、海力士和三星。

而在中國大陸光刻設備專利申請總量排名中，除 ASML 依然位居榜首外，其餘位居前十的基本都是中國企業，分別有中芯國際、上海微電子裝備有限公司、京東方、上海華虹宏力、上海華力微電子，還有中科院光電研究所和中科院微電子所兩家科研院所。

報告指出，光刻領域專利排名較高的類別聚焦在 G03F7圖紋面、H01L21專門適用於製造和處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備上，申請量明顯高出其他分類。

總體來看，光刻設備領域專利態勢呈現四個特點：一是光刻設備技術近幾年申請量相對穩定；二是全球範圍內日本和美國申請量位於全球前列，韓國第三；三是光刻設備領域中國主要的申請人中，主要為企業；四是光刻設備主要技術集中在 G03F7、H01L21兩個 IPC 類別上，說明曝光材料及設備、半導體設備製造技術在光刻設備領域佔比較高。

校對/茅茅

圖源/中集知聯

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