2021 年 140 層堆疊 3D NAND Flash 將推出，容量也將翻倍增加

【Technews科技新報】全球半導體材料及設備大廠應用材料公司，在目前舉行中的國際儲存研討會 2018（IMW 2018）上表示，2021 年 3D NAND Flash 的堆疊層數將會超過 140 層，而且每一層的厚度會不斷的變薄，屆時這將提供更大容量，卻更小體積的儲存空間。

在國際儲存研討會上，應用材料介紹了未來幾年 3D NAND Flash 的發展線路圖。而且，應用材料指出，自 3D NAND Flash 誕生以來，其堆疊層數就在不斷的成長。由三星生產的第一代 3D V-NAND 只有 24 層堆疊，下一代就變成了 32 層，隨後就到了 48 層；到現在，大多數廠商都在生產 64 層堆疊的 3D NAND Flash。而 SK 海力士則是突破瓶頸，開始生產 72 層堆疊的 3D NAND Flash。預計下一代的 3D NAND Flash 堆疊層數將超過 90 層，再下一個階段會超過 120 層，而到 2021 年時會超過 140 層的堆疊數。

此外，NAND Flash 的 Die Size（裸晶容量）也隨著堆疊層數的成長而增加。在 32 層時代的時候是 128 Gbit，48 層時來到 256 Gbit。目前的 64 或 72 層則是達到 512 Gbit 的容量，預計 2019 年推出地的 96 層堆疊 NAND Flash 應該會達到 768 Gbit。未來的 128 層將會有超過 1024Gbit 的 Die Size。而預計 2021 年推出的 144 層堆疊 NAND Flash，雖然目前不清楚 Die Size 會有多大了，但可以肯定的是絕對大於等於 1024 Gbit。

應材進一步指出，雖然 NAND Flash 隨著堆疊層數的增加，儲存堆疊的高度也在加大，然而每層的厚度隨著科技的進步卻在縮小中。過去，32 及 36 層堆疊的 3D NAND Flash 的堆疊厚度為 2.5μm，單層厚度大約 70nm。到了 48 層堆疊的 3D NAND Flash 堆疊厚度則為 3.5μm，單層厚度減少到 62nm。現在的 64 或 72 層 3D NAND Flash 堆疊厚度大約 4.5μm，單層厚度減少到 60nm。以這樣的規則來計算，每升級一個世代，堆疊厚度都會變成原來的 1.8 倍，但單層厚度會變成 0.86 倍。

應材指出，目前各家廠商都在 3D NAND Flash 上加大研發水準，儘可能提升自己快閃記憶體的儲存密度。其中，之前東芝與西部數據就宣布，計劃在 2018 年內大規模生產 96 層堆疊的 BiCS4 3D NAND Flash，並會在年底前發貨。而隨著資料增加越來越快的影響下，3D NAND Flash 的發展也成為各存儲器廠努力的目標。以求未來能提供更小體積，更大容量的產品來滿足消費者的需求。

（首圖來源：美光科技）

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