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日本新聞網站Nikkei Asian Review引述消息稱，全球最大的晶元機器製造商、荷蘭的阿斯麥（AMSL）證實，中國向荷蘭訂購一台最新型的使用EUV（極紫外線）技術的晶元製造機器光刻機，訂貨單位是中國的企業SMIC。這台機器價值1.2億美元，與其去年凈利潤1.264億美元大致相當。消息來源稱，這一設備預計將於2019年年初交付。

EUV光刻機，7nm之後的救星

隨著工藝的推進，傳統的193nm浸沒式光刻機器的瓶頸日益凸顯，業界開始向EUV光源尋求幫助，這就推動了晶圓廠和光刻機供應商的EUV光刻機的進展，ASML作為全球唯一的EUV光刻機供應商，在數次延遲之後，終於在最近兩年取得了進展。三星也在最新的7nm工藝上，使用了EUV光刻機。

所謂EUV，是指波長為13.5nm的光。相比於現在主流光刻機用的193nm光源，新的EUV光源能給矽片刻下更小的溝道，從而能實現在晶元上集成更多的晶體管，進而提高晶元性能，繼續延續摩爾定律。不過在之前推進EUV光刻機的過程中，碰到各種各種各樣的問題，EUV光刻機商用的時間也一拖再拖，業界在EUV的研發投入保守估計也超過了200億美金，發光源功率是造成EUV光刻機遲遲不能商用的最主要原因。

在EUV光刻機工作過程中，需要電源將等離子體轉換成13.5nm波長的光線，之後再經過鏡子的幾重反射，再打落到晶圓上。但是之前的電源並不能給EUV提供足夠的功率，進而滿足經濟可行性。這就首先要了解對EUV光刻機的要求：

簡單來說，引入EUV光刻機的工作目標，就是把原來傳統光刻的雙層pattering簡化成一層EUV完成，進而降低光罩的層數，降低生產複雜度。而為了達到現有的傳統光刻機250到270WPH的生產效率，那麼來到EUV光刻機，那麼至少需要125WPH的效率，才能達到COO（cost of ownership）和OEE（overall equipment efficiency），這就對光源提出250瓦的要求。但直到2012年，EUV光刻機的唯一供應商ASML只是實現了25瓦的光源

為了加速光源的發展，他們在2012年斥資25億美元收購了世界領先的準分子激光源提供商Cymer。從全球領先的專利查詢平台智慧芽上了解到， Cymer是一家專註於激光、X射線及深紫外光源的企業。收購Cymer，讓ASML直接從源頭上獲得了其發展中至關重要的光刻機光源技術。進而加速了EUV光刻機的發展

中芯前進路上的必然選擇

作為國內最先進的晶圓代工廠，中芯國際的製程工藝的落後一直被國內所詬病，但在引入了梁孟松之後，中芯國際的工藝有了突飛猛進的進展。在日前舉辦的2018年Q1法說會上，中芯國際聯席CEO梁孟松透露，中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝。雖然這個工藝相對於三星、台積電、格芯和英特爾都稍顯落後，但絕對是國產的一大突破。

在未來，中芯國際必然會繼續往10nm之後的工藝探索，為此儘早引入EUV光刻機，並在上面做研究，是中芯國際必經之路。如果這次新聞真的熟識，對於國產晶圓廠的未來，我們可以抱有更樂觀的信心。

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