中芯國際紹興項目開工，中國特色工藝布局加速

2018年5月18日，中芯集成電路製造（紹興）有限公司首個8寸廠房項目舉行奠基儀式。中芯國際聯席首席執行官趙海軍博士主持，中芯國際首席財務官高永崗博士、戰略發展中心資深副總裁葛紅、紹興市委書記馬衛光、市長盛閱春出席。

中芯國際聯席首席執行官趙海軍博士致辭

中芯國際聯席首席執行官趙海軍博士表示，「中芯紹興項目從3月1日簽署合資協議至舉行奠基儀式，只有短短79天，這充分體現了紹興市政府在發展集成電路產業上的決心和務實高效的作風。中芯國際對這個項目充滿信心，將儘力擴大市場份額、不斷完善產品鏈，快速佔據國內市場領導地位，使中芯紹興與中芯國際實現產業鏈上的差異化互補和協同發展，打造一個國內領先、世界一流的特色工藝半導體企業，為實現中國智造做出貢獻。」

紹興市委書記馬衛光在奠基儀式上表示，「紹興市高度重視與中芯國際合作打造的集成電路產業化項目，將其作為產業轉型升級的重大戰略性舉措。我們將制定及不斷完善集成電路產業扶持政策，系統地、持續地加大對集成電路產業的投入，相信不久的未來中國特色工藝集成電路的核心基地將在這裡崛起。」

市委副書記、市長盛閱春指出，中芯國際作為世界領先的集成電路晶元製造企業，此次落戶紹興，既充分體現了對紹興這方創業熱土的厚愛、對紹興未來發展的信心，也必將為我們打造電子信息集群、構建現代化產業體系注入強大動力。全市上下要當好「東道主」，按照「最多跑一次」改革理念路徑，積極提供全方位、全過程的優質服務，推動項目儘快開花結果，實現企業壯大與地方發展的互利共贏！希望中芯國際及項目總包施工方秉承「百年大計、質量為先」宗旨，精心組織好項目施工，努力創造匠心工程、百年工程！

有關中芯紹興項目簽約新聞請點擊《中芯國際簽約紹興，專註MEMS和功率器件》。

據悉，中芯紹興項目主要面向微機電和功率器件集成電路領域，專註於晶圓和模組代工，持續投入研發並致力於產業化，將建設並形成一個綜合性的特色工藝基地，快速佔據國內市場領導地位。項目計劃於2019年3月完成廠房結構封頂，9月設備搬入，2020年1月正式投產。項目總工期約450天，EPC總承包為信息產業電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司。

中芯國際近年來在加速開發尖端工藝（28納米、14納米）時，在特色工藝領域也有頗多建樹。

SPOCULL TM是公司的一種特殊工藝技術。SPOCULL是指：SMIC POly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM中包括兩個工藝平台：95HV和95ULP。SPOCULL TM技術提供了在8寸半導體代工技術中最高的器件庫密度和最小的SRAM。同時SPOCULL TM技術還具有極低的漏電流，低功耗和低寄生電容的優秀的半導體晶體管特性。

95HV主要是支持顯示驅動晶元相關的應用，可廣泛應用於面板驅動，in-cell面板及AMOLED面板等。

95ULP超低功耗技術平台主要支持物聯網相關方面的應用。通過進一步降低產品操作電壓、工藝器件優化和IP設計優化，極大減低產品的動態功耗和靜態功耗，延長系統待機時間和使用效率，並通過整合射頻和嵌入式存儲器技術，優化成本結構和安全性能。在12寸工藝平台上,中芯國際也推出55納米ULP超低功耗技術平台。

CMOS圖像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)：SMIC擁有十年以上的製造經驗。目前，公司為客戶提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射（BSI）和1.75微米像素尺寸的正面照射技術。同時也可以為客戶提供從晶片、彩色濾光片、微透鏡到封裝測試的一站式服務。

IGBT：中芯國際IGBT平台從2015年開始建立，著眼於最新一代場截止型（Field Stop）IGBT結構， 採用業界最先進及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝，濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等。已完成整套深溝槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+場截止（Field-Stop）技術工藝的自主研發，並相應推出600~1200等器件工藝，技術參數可達到業界領先水平。

MEMS：中芯國際的MEMS方案主要集中在兩大主流應用領域，一是MEMS麥克風，是開放式結構，目前已經進入量產；二是慣性感測器，是封閉式結構，於2016年2Q進入量產。

不單是中芯國際，對於國內乃至全球多家半導體公司而言，都非常重視特色工藝領域，這與近幾年來物聯網、智能汽車應用的興起，對於特色工藝需求增溫，有著緊密關係，這些市場應用不依賴高端的28/14/10/7納米工藝技術。

華虹半導體也於4月3日在無錫開工建設12寸廠（HH FAB 7），一期投資25億美元，新建一條12英寸「超越摩爾」特色工藝集成電路生產線，採用先進工藝90～65/55納米、月產能約4萬片，支持5G、汽車電子和物聯網等新興領域的應用，2019年底投產後將逐步導入華虹半導體的三大特色工藝平台（嵌入式非揮發性存儲器；功率半導體；模擬及電源管理、邏輯與射頻）。

2017年12月19日，杭州士蘭微電子宣布與廈門半導體投資集團簽署投資合作協議，擬在廈門建設兩條以MEMS、功率器件為主的12寸集成電路製造生產線。項目擬投資170億元，一期規劃建設第一條12寸90-65nm特色工藝生產線，規劃產能每月8萬片，產品定位為MEMS、功率半導體器件及相關產品。

2018年5月，英飛凌也宣布在奧地利新建一座300毫米薄晶圓的全自動晶元工廠，主力產品就是功率器件半導體產品。該工廠總投資約為16億歐元，計劃在六年內完成。建設工程計劃於2019年上半年啟動，預計將於2021年初開始投產。新工廠在產能達產後，每年收入約為18億歐元。

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