一個BUCK電源電路設計測試過程
原標題:一個BUCK電源電路設計測試過程
一、元件選型
1 晶元選型
2 電容選型
3 電感選型
4 電阻選型
二、電源測試
1電源PDN和紋波雜訊
1.1電源PDN
1.2電源紋波和電源雜訊
2常見的紋波雜訊測試方案
2.1 紋波雜訊測試基本要求
2.2 高通濾波器特性分析
2.3 無源探頭DC耦合測試
2.4 無源探頭AC耦合測試
2.5 同軸線外部隔直電容DC50歐耦合測試
2.6 同軸線AC1M歐耦合測試
2.7 差分探頭外置電容DC耦合測試
2.8 差分探頭衰減DC耦合測試
3 輸入電壓測試
4 輸出電壓測試
5 反饋電壓測試
6 輸出電流測試
1 晶元選型
如下圖1所示為本模塊的電路原理圖,具體可以簡化為輸入部分、控制部分、輸出部分以及反饋部分。輸入部分:電容C1、C2、C3以及R1;控制部分:MP4420H晶元以及自舉電路C5、R5;輸出部分:電感L1、電容C6、C7以及C8。反饋部分:電阻R3、R4以及R2。
圖1 電源模塊原理圖
本模塊需要實現一個DC-DC的電源轉換功能,其輸入為12V,輸出為3.3V/2A。選擇MP4420H這款晶元,MP4420H的輸入範圍為4V-36V之間,輸出電壓範圍為0.8V-32.4V,最大輸出電流2A。MP4420H的特點有:內置兩隻開關管且採用同步BUCK的技術、開關頻率為450KHZ、內部實現軟啟動、占空比最大可達到95%以及熱關斷等。
如圖2所示為其引腳圖。
圖2 MPH4420H引腳圖
PG:該引腳的輸出為開漏,輸出電壓為高電平超過標稱電壓的90%
IN:電源輸入端,一般接幾個電容用來儲能和去耦
SW: 開關輸出引腳
GND: 接地端
BST: 自舉引腳端,需要在SW和BST引腳之間連接一個電容以形成浮動電壓來驅動MP4420H內上端的開關管。自舉電容建議串聯一個20歐姆電阻以降低SW尖峰電壓。
EN/SYNC:使能/同步引腳端
VCC: 偏置電壓,一般會加一個0.1Uf ~0.22uF的去耦電容,不要超過0.22uF
FB:反饋端
2 電容選型
2.1輸入電容選型:
輸入電容的主要目的為儲能和濾波,以防止輸出需要大電流的時候,外部供電模塊來不及供電,從而導致輸出電壓跌落的現象。在選擇輸入電容的時候首先要保證電容的耐壓值為供電模塊電壓的1.5倍,
根據MP4420H的數據手冊可知輸入電容的計算公式1:
公式1:
為輸出電流2A,fs為開關頻率450KHZ,Cin為輸入電容,Vout為輸出電壓3.3V,Vin為輸入電壓12V。本模塊選用MP4420H數據手冊中推薦的22uF的貼片陶瓷電容,可計算出為44mV。選擇兩個風華牌10uF/25V的C1和C2貼片陶瓷電容並聯,再並聯一個電容C3大小為10nF/25V的小電容以濾除輸入直流電壓中夾雜的高頻信號。
2.2輸出電容選型:
輸出濾波電容值可通過計算得到,但是一般在選擇電容值的時候通常會選擇1.2-2倍計算出的電容值或者更大的電容量,在PCB面積允許的條件下最好多個電容並聯。由於輸出濾波電容和輸出電感會形成兩個極點,這會導致電路輸出不正常,具體表現為輸出紋波較大、輸出上升沿有強烈的振蕩等。所以在選擇電容值的時候也要適當考慮電感值。由MP4420H數據手冊可知輸出電容和以下公式相關:
L1為輸出濾波電感,ESR為輸出電容的內阻。故根據輸出紋波的要求可大致得到輸出電容的大小,在選擇電容的時候一般都會選擇電容值更大點的電容。對於開關電源模塊,電源自身會產生和開關頻率一致的電源紋波,始終疊加在電源上輸出。輸出紋波也會由輸出電容的內阻所引起,不斷的給輸出電容充放電,充電電流在輸出電容的內阻ESR兩端就會有壓降,這個就會產生輸出紋波,所以在選擇輸出電容的時候盡量選擇ESR較小的貼片陶瓷電容而不是電解電容,選擇幾個電容並聯也是為了降低輸出內阻,一般都會在輸出端並聯一個較小的電容一般為nF級別的電容以濾去高頻紋波。本模塊選擇兩個100uF/16V和一個100nF/16V的貼片陶瓷電容並聯。
3電感選型
輸出電感的主要作用是用來穩定輸出電流以及儲能,輸出電感和輸出電容組成的LC濾波電路主要用來平滑輸出電壓,使輸出電壓是一個穩定的直流。在選擇輸出電感的時候,除了要考慮電感值的大小外更要考慮電感所能抑制的電流值。對於BUCK開關變換器的輸出電感的電流額定值最少是1.2倍的輸出電流。根據MP4420H的數據手冊可知,輸出電感的電感值在1uH~10uF,電感電流額定值最少為超過負載電流的25%。對於大多數的設計,電感值可由以下公式得到:
為電感的斜坡電流,其大小一般為電感電流最大值的30%。
根據計算得到輸出電感值為8uH,實際選擇10uH/5A的貼片電感。
4 電阻選型
使能電阻R1的選擇,EN/SYNC引腳用來控制晶元是否工作,當其為高電平時,晶元就使能工作;當其為低電平時,晶元就不工作。EN/SYNC引腳有一個6.5V的穩壓管,連接一個使能電阻到輸入端可以使電路使能,流入使能電阻的電流少於150uA,故本模塊的使能電阻
,選擇R1=100KW。
反饋部分電阻的選擇,MP4420H通過外接反饋電阻形成一個閉環的電路,從而使輸出穩定在3.3V。通過R3和R4的分壓得到反饋電壓,反饋電壓和MP4420H內部的比較器做比較,當反饋電壓大於內部比較器的參考電壓0.8V時,MP4420H內部的開關管關斷,切斷輸入向輸出傳遞能量。數據手冊中推薦R3的大小在40KW左右,本模塊選擇41.3KW。故可得到R4:
由Vout=3.3V,可得到R4=13KW
R3和R2用來設置環路帶寬,R3和R2越大,帶寬越小,環路帶寬一般要小於開關頻率fs的1/10,以使輸出穩定。根據數據手冊推薦的R2為51KW。
二、電源測試
1電源PDN和紋波雜訊
1.1 電源PDN
電源紋波雜訊測試是一個比較複雜的測試難題,不同方法測量到的結果不同,即使同一種測試方法不同人測試結果一般也會存在差別。
對於終端類產品,不管是CPU、GPU、DDR等,其晶元內部都有成千上萬的晶體管,晶元內不同的電路需要不同的電源供電,常見有Vcore、Vcpu、Vmem、VIO、Vgpu、Vpll等,這些電源有DC-DC電源模塊供電,也有LDO電源模塊供電,都統一由PMU來管理。
如圖3所示,為晶元的PDN圖,晶元的供電環路從穩壓模塊VRM開始,到PCB的電源網路,晶元的ball引腳,晶元封裝的電源網路,最後到達die. 當晶元工作在不同負載時,VRM無法實時響應負載對電流快速變化的需求,在晶元電源電壓上產生跌落,從而產生了電源雜訊。對於開關電源模塊的VRM,電源自身會產生和開關頻率一致的電源紋波,始終疊加在電源上輸出。對於電源雜訊,需要在封裝、PCB上使用去耦電容,設計合理的電源地平面,最終濾去電源雜訊。對於電源紋波,需要增大BULK電感或者BULK電容。
圖3晶元電源分布網路(PDN)示意圖
對於板級PCB設計,當頻率達到一定頻率後,由於走線的ESL、電容的ESL的影響,已經無法濾去高頻雜訊,業界認為PCB只能處理100MHz以內的雜訊,更高頻率的雜訊需要封裝或者die來解決。因此對於板級電源雜訊測試,使用帶寬500M以上的示波器就足夠了。一般情況下,示波器的帶寬越大,低噪也會隨之上升,因此建議測試電源時示波器的帶寬限制為1GHz。
1.2 電源紋波和電源雜訊
電源紋波和電源雜訊是一個比較容易混淆的概念,如下圖4所示,藍色波形為電源紋波,紅色波形為電源雜訊。電源紋波的頻率為開關頻率的基波和諧波,而雜訊的頻率成分高於紋波,是由板上晶元高速I/O的開關切換產生的瞬態電流、供電網路的寄生電感、電源平面和地平面之間的電磁輻射等諸多因素產生的。因此,在PMU側測量電源輸出為紋波,而在SINK端(耗電晶元端,如AP、EMMC、MODEM等)測量的是電源雜訊。
圖4電源紋波雜訊圖
電源紋波測量時,限制示波器帶寬為20MHz,測量PMU電源輸出的波形峰峰值即可電源紋波。由於PMU晶元在設計完成後,晶元廠商會做負載測試,測試PMU在不同負載時輸出電源的紋波情況,因此在終端類產品板上,沒必要在做這方面的測試,紋波大小參考PMU手冊即可。
電源雜訊測試時,測試點放在SINK端,由於SINK端工作速度大都在幾十MHz以上,因此示波器帶寬設置為全頻段(最高為示波器帶寬上限),測試點要盡量靠近測試晶元的電源引腳,如果存在多個電源引腳,應該選擇距離PMU最遠端的那個引腳。電源雜訊跟PCB布局布線,DECAP電容的位置的位置相關,同時電源雜訊影響CPU的工作狀態和單板的EMI,終端類產品板需要對每塊單板測試電源雜訊。
2常見的紋波雜訊測試方案
2.1 紋波雜訊測試基本要求
目前晶元的工作頻率越來越高,工作電壓越來越低,工作電流越來越大,雜訊要求也更加苛刻,以MSM8974的CORE核為例,電壓為0.9V,電流為3A,要求25MHz時,交流PDN阻抗為22mohm,電源雜訊要求在±33mV以內。對於DDR3晶元,要求VREF電源雜訊在±1%以內,若1.5V供電,則雜訊峰峰值不大於30mV。
這類低雜訊的電源測試非常具有挑戰,影響其測量準確性的主要有如下幾點:
(1)示波器通道的底噪;
(2)示波器的解析度(示波器的ADC位數);
(3)示波器垂直刻度最小值(量化誤差);
(4)探頭帶寬;
(5)探頭GND和信號兩個測試點的距離;
(6)示波器通道的設置;
在測試電源雜訊時,要求如下條件:
(1)需要在重負載情況下測試電源紋波;
(2)測試電源紋波時應該將CPU、GPU、DDR頻率鎖定在最高頻;
(3)測試點應該在SINK端距離PMU最遠的位置;
(4)測試點應該靠近晶元的BALL;
(5)帶寬設置為全頻段;
(6)示波器帶寬大於500MHz;
(7)雜訊波形占整個屏幕的2/3以上或者垂直刻度已經為最小值;
(8)探頭地和信號之間的迴路最短,電感最小;
(9)測試時間大於1min,採樣時間1ms以上,採樣率500Ms/s以上;
(10)紋波雜訊看Pk-Pk值,關注Max、Min值;
2.2 高通濾波器特性分析
示波器有AC和DC兩種耦合方式,當採用AC耦合時,其內部等效電路如圖5所示,C為隔值電容,R為終端對地阻抗,Vi為輸入信號,Vo為測量信號,濾波器的截止頻率為若為信號頻率,則有:
當時,,用分貝表示為:
,則表示信號經過濾波器可以無衰減傳遞;
當時,,用分貝表示為:,則表示該頻段的信號經過濾波器後,按照-20dB/十倍頻的斜率衰減;
當時,則表示信號衰減約0.707倍。
當時,Vo=0.99Vi,測試誤差為1%。
圖5 加隔值電容後高通濾波器等效電路
表1不同隔值電容對應的頻點
隔直電容容值(uF) |
50W截止頻率(KHz) |
50W-1%誤差頻點(KHz) |
50W截止頻率(Hz) |
1MW-1%誤差頻點(Hz) |
0.1 |
31.83 |
222.82 |
1.5915 |
11.14 |
0.47 |
6.77 |
47.41 |
0.3386 |
2.37 |
1 |
3.18 |
22.28 |
0.1592 |
1.11 |
2.2 |
1.45 |
10.13 |
0.0723 |
0.51 |
10 |
0.32 |
2.23 |
0.0159 |
0.11 |
2.3 無源探頭DC耦合測試
使用無源探頭DC耦合測試,示波器內部設置為DC耦合,耦合阻抗為1Mohm,此時無源探頭的地線接主板地,信號線接待測電源信號。這種測量方法可以測到除DC以外的電源雜訊紋波。
如圖6所示,當採用普通的鱷魚夾探頭時,由於地和待測信號之間的環路太大,而探頭探測點靠近高速運行的IC晶元,近場輻射較大,會有很多EMI雜訊輻射到探頭迴路中,使測試的數據不準確。為了改善這種情況,推薦用無源探頭測試紋波時,使用右圖中的探頭,將地信號纏繞在信號引腳上,相當於在地和信號之間存在一個環路電感,對高頻信號相當於高阻,有效抑制由於輻射產生的高頻雜訊。更多時候,建議測試者採用第三種測試方法,將一個漆包線繞在探頭上,然後將漆包線的焊接到主板地網路上,移動探頭去測試每一路電源紋波雜訊。同時無源探頭要求盡量採用1:1的探頭,杜絕使用1:10的探頭。
圖6無源探頭地線兩種處理方法
對於示波器,若垂直刻度為xV/div,示波器垂直方向為10div,滿量程為10xV,示波器採樣AD為8位,則量化誤差為10x/256 V。例如一個1V電源,雜訊紋波為50mV,如果要顯示這個信號,需要設置垂直刻度為200mV/div,此時量化誤差為7.8mV,如果把直流1V通過offset去掉,只顯示紋波雜訊信號,垂直刻度設置為10mV即可,此時的量化誤差為0.4mV。
使用無源探頭DC耦合測試,示波器設置如下:
(1)1Mohm端接匹配;
(2)DC耦合;
(3)全帶寬;
(4)offset設置為電源電壓;
2.4 無源探頭AC耦合測試
使用無源探頭DC耦合需要設置offset,對於電源電壓不穩定的情況,offset設置不合理,會導致屏幕上顯示的信號超出量程,此時選擇AC耦合,使用內置的擱置電路來濾去直流分量。對於大多數的示波器,會有如下參數,設置為AC耦合,此時測量的為10Hz以上的雜訊紋波。
圖7示波器兩種耦合方式頻點
使用無源探頭AC耦合測試,設置如下:
(1)1Mohm端接匹配;
(2)AC耦合;
(3)全帶寬;
(4)offset設置為0
2.5 同軸線外部隔直電容DC50歐耦合測試
由於無源探頭的帶寬較低,而電源開關雜訊一般都在百MHz以上,同時電源內阻一般在幾百毫歐以內,選擇高阻1Mohm的無源探頭對於高頻會產生反射現象,因此可以選擇用同軸線來代替無源探頭,此時示波器端接阻抗設置為50歐,與同軸線阻抗相匹配,根據傳輸線理論,電源雜訊沒有反射,此時認為測量結果最準確。
利用同軸線的測量方法,最準確的是採用DC50歐,但是大部分示波器在DC50歐時offset最大電壓為1V,無法滿足大部分電源的測量要求,而示波器內部端接阻抗為50歐時,不支持AC耦合,因此需要外置一個AC電容,如圖8所示,當串聯電容值為10uF時,根據表1可以看到,此時可以準確測試到2KHz以上的紋波雜訊信號。
圖8 同軸線DC50測量圖
2.6 同軸線AC1M歐耦合測試
由於從PMU出來的電源紋波雜訊大多集中在1MHz以內,如果採用同軸線DC50外置隔直電容測量方法,低頻雜訊分量損失較為嚴重,因此改用圖9所示的測量方法,利用同軸線傳輸信號,示波器設置為AC1M,這樣雖然存在反射,但是反射信號經過較長CABLE線折返傳輸後,影響是有限的,示波器在R2上採集電壓值可以認為仍然可以被參考。
圖9同軸線AC1M測量圖
為了避免反射,在同軸線接到示波器的介面處端接一個50ohm電阻,使示波器輸入阻抗和cable線特徵阻抗匹配。
圖10同軸線AC1M測量改進圖
2.7 差分探頭外置電容DC耦合測試
由於示波器的探頭地和機殼地通過一個小電容接在一起,而示波器的機殼地又通過三角插頭和大地接在一起,在實驗室里,幾乎所有的設備地都和大地接在一起,示波器內部地線接法如圖11所示,因此上面介紹的兩種方法都無法解決地干擾問題,為了解決這個問題,需要引入浮地示波器或者差分探頭。
圖11示波器內部地線接法
如圖12所示,為差分接法,由於差分探頭為有源探頭,外置差動放大器,可以將待測信號通過差分方式接入,使示波器的地和待測件地隔離開,達到浮地效果。但是差分探頭在示波器內部只能DC50歐耦合,而offset最大一般不超過1V,因此需要在差分探頭上串聯隔直電容。使用差分探頭測量時關鍵是探頭的CMRR要足夠大,這樣才能有效抑制共模雜訊。
圖12 差分探頭外置電容DC耦合接法示意圖
3.8 差分探頭衰減DC耦合測試
當採用差分探頭外置電容DC耦合時,同樣存在截止頻率的問題,測量的結果會損失一些低頻分量,為了解決這個問題,可以將差分探頭衰減10倍,示波器會將採集到的電壓值乘10顯示出來,這個時候offset設置也會放大到10V,能夠滿足終端類產品的直流電壓偏置。
圖13差分探頭衰減DC耦合測試接法示意圖
3 輸入電壓測試
本次測試使用的設備有:0~30V/0~2A可調數字電源、鼎陽牌SDS1000X-C數字示波器以及萬用表。
如圖14所示為可調的數字電源,圖15為SDS1000X-C數字示波器,圖16為MP4420H的電源模塊。
圖14 可調電源
圖15 SDS1000X-C數字示波器
圖16 MP4420H電源模塊
如圖17所示為12V輸入電壓的測試波形,從示波器上可以看出,輸出電壓為12V直流電壓。
圖17 輸入電壓測試圖
圖18為輸入電壓的紋波測試圖,是通過把示波器的耦合方式選擇交流耦合測試出來的。從示波器上可以讀出,輸入電壓紋波的峰峰值為40mV。
圖18 輸入紋波測試圖
4 輸出電壓測試
圖19所示為輸出電壓的測試圖,從示波器上可以看出,輸出電壓最大值是3.44V,輸出電壓上升沿平緩,沒有振鈴和電壓過沖等現象。
圖19 輸出電壓測試圖
如圖20所示為輸出電壓的紋波,從示波器中可以看出,紋波電壓最大值為42mV。圖21所示為把紋波時間軸縮小的測試圖,從示波器中可以看出,紋波的峰峰值為3.96mV。
圖20 輸出電壓紋波測試圖
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