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美光發文,GDDR 6最高速度可達20 Gb 每秒

Micron美光在最新的研究文章中(2月份的)說到了GDDR 6的性能表現情況。GDDR 6出來公布已經有一段時間了,一些廠商也是在準備批量生產當中。

美光的這篇研究文章,討論了GDDR6存儲器的幾個方面,其中包括晶元更換,通道增強和性能測量。儘管GDDR6遵循GDDR5和GDDR5X內存的發展道路,但底層架構仍然有一些重大變化,以便在節省功耗的同時提升內存帶寬。

根據美光團隊的測試,GDDR6顯存可能會超出16.5 Gb / s的範圍。

在測試中,將I / O電源電壓做了一個小而有用的提升,GDDR6 I / O就被推高到20Gb / s。

人們推算,相比GDDR5X和HBM2,GDDR6能夠給256位卡提供640 Gb / s的帶寬,這就相當接近Titan V的652.8 Gb / s(HBM2)。

顯卡可能迎來比10系顯卡更加誇張的性能突破。


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