美光1Y nm DRAM正在驗證中 需要用到EUV光刻嗎？

今年台積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預計明年量產。

那麼存儲晶元行業何時會用上EUV工藝？在美光看來，EUV光刻工藝並不是DRAM晶元必須的，未來幾年內都用不上，在新一代工藝上他們正在交由客戶驗證1Y nm內存晶元，未來還有1Z、1α及1β工藝。

內存跟CPU等晶元雖然都是集成電路，生產製造過程有相似之處，不過工藝並不相同，CPU邏輯工藝今年進入到了7nm節點，但內存主流的還是20nm、18nm工藝，其中18nm就屬於1X nm節點（16-19nm之間），後面的1Y nm則是14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。再之後，美光提出的是1α及1β工藝，具體對應xx nm就不明了。

三星是第一家量產18nm工藝，也就是第一個進入1X nm節點的，遙遙領先其他公司，美光現在也開始向1X nm工藝轉進，下一代的1Y nm工藝已經進入客戶驗證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節點在處於工藝優化階段，1α及1β工藝則是在不同研發階段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰略決策會上回答了有關的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認為EUV光刻機在DRAM晶元製造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。

ASML早前分享過內存進入EUV工藝的進度表

在內存工藝上，美光認為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝，不過早前ASML兩年前提到過內存在進入1Y nm節點時就需要考慮EUV工藝了，實際上並沒有，包括三星在內的三大DRAM巨頭都沒有很快進入EUV節點的打算。

來源：超能網

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