三星 3D NAND、DRAM 產出延宕，拖累設備商科林股價？

半導體蝕刻機台製造商科林研發公司（Lam Research Corp.）受到市場謠傳三星電子（Samsung Electronics）的 3D NAND 型快閃記憶體、DRAM 產出延宕影響，股價跳空下挫，拖累美國費城半導體指數周四（6/7）走弱。

MarketWatch、barron』s.com 報導，向來看多的 Evercore ISI 分析師 C.J. Muse 7 日發布研究報告指出，渠道調查顯示，科林 4~6 月、7~9 月這兩季的出貨量恐怕會低於預期，預料將驟減 30% 以上，似乎跟三星產出延宕有關。

不過，Muse 認為，三星的存儲器晶元延後產出，主要是受到毛利率影響，因此這個現象應該僅是短暫的。另外，NAND 型快閃記憶體的資本支出也有望在 2018 年第四季至 2019 年上半年間逐步復甦。

話雖如此，Muse 直指，雖然科林長期展望不變，短期內股價卻可能受到壓抑，直到該機構弄清出貨量降幅究竟有多少為止。

Muse 並表示，他聽說科林的狀況比應用材料（Applied Materials Inc.）、晶圓檢測設備製造商科磊（KLA-Tencor Corporation）還要糟。

科林 7 日應聲下挫 5.4% 收 188.83 美元，創 4 月 30 日以來收盤低，在費半 30 支成分股中跌幅僅次於半導體測試控制儀器商 MKS Instruments, Inc. 的 7.33%。應用材料、科磊分別下跌 2.44%、1.28%。

費城半導體指數 7 日終場下跌 0.95%（13.6 點），收 1,424.34 點，結束連續 4 個交易日的漲勢。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：科林）

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