深入剖析SK海力士最新72層 3D NAND

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在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND快閃記憶體中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND字元串(NAND string)；從其布局可見，該晶元包含4個平面(plane)以及雙面字元線開關/解碼器(two-sided wordline switches/decoders)。

該內存數組的效率約57%，是因為相對較大的內存與其他周邊；而SK Hynix的36L與48L產品內存數組效率則分別為67.5%與64.0%。此趨勢顯示SK Hynix應該會為下一代晶元開發尺寸更小巧的設計。

三星(Samsung)以及東芝/WD (Toshiba/Western Digital)的64L 3D TLC NANS裸晶，有超過65%的內存數組效率；不過以上的內存晶元尺寸以及功能則都差不多......查看全文請點擊下方「了解更多」

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