中國存儲晶元要打破美日韓的壟斷局面尚需時間
受中美競爭特別是中興事件的影響，國內對晶元的重視程度被進一步拔高，而在存儲晶元方面隨著三大存儲晶元企業長江存儲、合肥長鑫和福建晉華的快速推進讓人看到中國存儲晶元企業有機會打破當前由美日韓企業壟斷的局面，不過要打破這一局面還需要時間。
美日韓壟斷存儲晶元市場
存儲晶元主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們日常見到的產品中分別是PC用的DRAM內存條和SSD硬碟，這兩類產品在各個行業都有廣泛的應用，而且隨著各個產業的發展這兩類產品的重要性正日益凸顯，這也導致存儲晶元價格自2016年以來持續上漲，並推動全球最大的存儲晶元企業三星在半導體市場擊敗Intel首次奪取了全球最大半導體企業的位置。
在DRAM晶元市場，份額主要由三星、SK海力士和鎂光佔有，它們分別佔據該市場的份額為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計佔有全球DRAM市場份額約95.3%，中國台灣的華亞科等佔有少量的市場份額。
在NAND flash市場，主要有六大企業，分別是三星、東芝、西部數據、鎂光、SK海力士、Intel，市場份額分別為37.0%、18.0%、16.6%、12.1%、9.9%、5.9%，六家合計佔有超過99%的市場份額。
在DRAM和NAND flash市場，韓國企業都呈現強勢的地位，特別是三星由於佔據優勢的市場地位，它成為這兩年存儲晶元價格上漲的最大獲益者，獲利豐厚的它正通過加大投入保持自己在技術上的領先優勢，這又反過來進一步鞏固它的市場份額優勢。Intel在NAND flash市場則通過與鎂光研發的3d xpoint存儲技術給市場帶來較大的影響，這也成為推動它市場份額提升的主要動力。
中國存儲晶元企業的進展
在國產三大存儲晶元企業當中，長江存儲的投資規模最大，據報道指它的總投資將高達240億美元，目前長江存儲的NAND flash晶元工廠已開始搬進生產設備，預計在年底就將投產。長江存儲的野心並不止於NAND flash，它也有意投資DRAM，未來或將進入這個行業。
合肥長鑫和福建晉華投資生產DRAM。合肥長鑫的進展要快一些，當前它的DRAM晶元工廠已搬進生產設備，預計年底就將投入生產；福建晉華的DRAM工廠預計下個月搬進生產設備，不過它在生產進度方面則較快，表示也爭取今年內投產。
中國三大存儲晶元企業的技術人才主要來自日本、韓國和中國台灣，長江存儲的COO高啟全是前華亞科董事長，日本存儲晶元企業爾必達倒閉之後其部分人才進入了合肥長鑫，合肥長鑫還挖來華亞科前資深副總劉大維，福建晉華則通過與中國台灣的聯華電子合作獲得DRAM技術。
打破美日韓的壟斷局面尚需時間
中國存儲晶元企業在技術方面還落後於美日韓的企業。長江存儲預計年底投產的NAND flash晶元是32層技術，而國外的企業已投產64層技術，當前國產存儲晶元企業正積極推進96層技術預計在明年投產。
在DRAM技術方面，三星正推進18nm工藝的生產技術，合肥長鑫和福建晉華的起點較高預計投產時就將採用19nm工藝，顯示出這兩家存儲晶元企業意欲一進入市場就要以較高的技術爭取國內的客戶支持。
中國是全球最大的製造國，購買的存儲晶元佔全球存儲晶元市場的比例約兩成左右，如此龐大的市場對低端存儲晶元同樣有巨大的需求，這有利於國產存儲晶元企業的發展。不過國產存儲晶元企業在投產後還將面臨技術改進、良率提升的問題，它們能否如期進入大規模投產是它們面臨的下一個難題；同時存儲晶元價格存在周期性，當前高漲的價格能持續多久是個問題，如果中國存儲晶元企業投產後價格出現大幅下降將導致它們面臨盈利難題。
不過無論如何中國存儲晶元企業的努力將為中國製造業降低成本提高有利條件，從此前的液晶面板等產業可以看出，隨著中國產業鏈實力的增強國外的產業鏈才會給予中國品牌企業更多支持和價格優惠，在產能供應方面也更有保證，中國應該堅定不移的支持存儲晶元產業的發展。
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