台積電計劃今年底前流片超50款7nm晶元

從7nm製程節點開始，EUV（極紫外光刻技術）將成為推動未來製程工藝發展的重要技術。不過近日台積電則選擇了另外的思路，決定引入DUV（深紫外光刻技術）作為過渡工藝，率先實現7nm量產以佔先機，隨後在導入EUV。

台積電CEO魏哲家近日駁斥了對7nm良率提升緩慢的傳言。他表示可商用的7nm晶元生產已經啟動，同時，在2019年底或者2020年初5nm也會投入量產。魏哲家介紹，三季度導入EUV的增強版7nm將試產，今年底前，台積電將流片超過50款7nm晶元，用於AI、GPU和加密貨幣領域的居多，隨後是5G基帶和應用處理器（AP）。

此外，魏哲家還預判，由於7nm的產出，2018年，台積電的12寸晶圓的總產能將達到120萬片，比2017年的105萬提升9%。

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