硅晶圓行業高景氣持續；賣方市場＋IC設計端搶貨，硅晶圓再漲價；2018年中國半導體資本支出超越歐日總合

1.賣方市場＋IC設計端搶貨，合晶Q3硅晶圓報價預計調漲一成

2.2018年中國半導體資本支出達110億美元，超越歐日總合

3.2018年Q1全球半導體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

4.硅晶圓行業高景氣持續 產業鏈上市公司有望受益

5.三星延後擴產DRAM？空頭分析師認錯、改唱多美光

6.汽車半導體製造要求大不同，晶圓廠隨機缺陷率至為關鍵

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1.賣方市場＋IC設計端搶貨，合晶Q3硅晶圓報價預計調漲一成

集微網消息，半導體硅晶圓廠合晶27召開股東會，受惠於市場價格趨勢往上，且產能陸續增加，業界預預測，其今年業績上看90億元新台幣（下同），合晶董事長焦平海預期，今年營收與獲利可望逐季成長，2019年營收將突破新台幣100億元大關。

合晶合計前四月已超過去年的表現，前五月合併營收則為35.02億元，年增近四成。業界認為，該公司6月業績還會比5月更佳，進入下半年，單季營收可望持續提高，等於今年營收將逐季成長。

合晶是重摻硅晶圓的重要供應商，受惠於汽車電子等應用發展，該公司的產能約有將近八成都是重摻產品，在6英寸方面甚至可達九成。業界認為，由於近期重摻硅晶圓漲幅大致高於輕摻產品，8英寸與6英寸的重摻產品在市場上很吃香，所以該公司第3季的獲利增幅應可優於同業。

在硅晶圓價格方面，合晶第3季平均漲幅約8％至10％。合晶集團營業行銷總部總經理葉明哲表示，不單是賣方市場，而且 IC 設計公司也投入搶貨大作戰的行列，半導體硅晶圓市場目前為賣家市場，量價齊揚市況可望延續，尤其，過去是晶圓代工廠替客戶採購硅晶圓，但受限於硅晶圓供給嚴重吃緊，現在就連 IC 設計端都來搶產能。

也因此，合晶對於後續的營運展望抱持樂觀看法，也認為此一熱絡市況將會延續下去，也透露，第三季硅晶圓報價將會繼續上漲。合晶去年產品價格調漲約15%至20%，今年上半年產品價格再漲2位數百分點，漲幅不低於去年下半年的水準。業界預期，合晶第3季可望再漲價8%至10%，部分客戶則第四季度才適用新報價。

產能方面，集團預計2年內將擴增30萬片月產能。合晶積極增加8英寸硅晶圓產能，其龍潭廠目前硅晶圓月產能已達28萬片，預計第3季時可逐漸擴增至30萬片，而大陸鄭州的8英寸廠已成功拉出8英寸晶棒，規劃於第3季試產，初期業績貢獻仍有限，第3季起月產能將逐季增加5萬片，第4季可開始量產，預計明年第2季月產能將達到20萬片8英寸硅晶圓目標。

合晶強調，今年希望朝向品質最佳化、產量極大化與獲利最大化的目標，會積極衝刺產能，提升市佔率，深化中國市場布局，且加速高端硅晶圓研發與量產。

至於中國大陸廠商競爭狀況，葉明哲說，中國大陸廠商在12英寸硅晶圓方面還在起步階段，仍不影響市場供需狀態。

2.2018年中國半導體資本支出達110億美元，超越歐日總合

調研機構IC insights預測，中國半導體企業今年資本支出將來到110億美元，全球佔比較去年增加3.1個百分點至11%，已超過歐洲與日本企業總合(10.7%)。

中國今年面對中美貿易戰威脅，又經歷中興通訊被美方鎖喉的震撼教育，自製晶元越發感到刻不容緩，對照三年前，今年中國半導體業的資本支出成長五倍。

報告指出，中國本土內存廠睿力(Innotron)、XMC/YMTC與JHICC，以及純晶圓代工廠上海華力微電子(Shanghai Huali)近兩年的資本支出都相當可觀。

對照歐洲半導體業自從采輕晶圓廠模式後，資本支出佔全球比重逐年下滑，今年預估僅有4%，只有2005年的一半。

日本因受迫市場競爭，也從垂直整合朝輕晶圓廠模式發展，今年預估資本支出佔全球比重只有6%，遠低於2005年的22%。MoneyDJ

3.2018年Q1全球半導體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

在2018年第一季度，全球半導體產業銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產業總營收出現些許下滑，然而NAND市場依然創下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業和消費性固態硬碟(SSD)市場的需求最為強勁。

隨著企業和儲存市場對於相關零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對於伺服器用內存(Server DRAM)的強勁需求將持續推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內收入略有下降，IHS Marki內存與儲存市場資深總監Craig Stice表示，即使第一季度營收下降，但NAND市場仍然創下歷史第二高的季度收入。

正由於內存與存儲市場的重要性，三星電子(Samsung Electronics)憑藉著在該領域的主導地位，奪得2018年第一季度的半導體產業第一市佔，拿下16.1%；其次是英特爾(Intel)拿下13.6%，SK海力士(SK Hynix)則拿下7.0%。在季度之間的市佔變化相當平穩，前三名企業皆無變化，但是與2017年同期相比，三星取代了英特爾搶下第一市佔，成為領先的半導體公司。

IHS Markit表示，在2018年第一季，全球半導體市場總營收下降了3.4%，降至1158億美元。其中，無線通訊市場營收的下降為重要原因。以無線通訊市場為主的企業如高通(Qualcomm)、思佳訊通訊(Skyworks Solutions)以及Oorvo的營收皆有10%以上的跌幅。另外，如德州儀器(TI)、美信(Maxim Integrated)、安森美半導體(ON Semiconductor)和其他以工業與汽車產業為重點的公司，則在2018年第一季則多有達到10%以下的成長。新電子

4.硅晶圓行業高景氣持續 產業鏈上市公司有望受益

據媒體報道，全球第三大半導體硅晶圓廠環球晶圓董事長徐秀蘭近日表示，半導體硅晶圓供不應求，環球晶圓產能到2020年全滿，有客戶開始洽談2021到2025年訂單，且價格不會低於2020年的價位，這意味環球晶圓訂單能見度長達七年，堪稱目前景氣能見度最佳的電子業。目前，市佔率逾95%的前五大廠商產能即便2019到2020年也都已經被預訂。

硅晶圓是半導體生產最重要的材料，隨著AI晶元、5G晶元、物聯網等行業的崛起，硅晶圓的需求將持續爆發。目前下遊客戶需求強勁，且從搶12英寸產能，蔓延到8英寸，現在連6英寸也開始搶，遠超乎預期。市場普遍預期，產能增加速度緩慢將進一步擴大硅晶圓供需缺口。

隨著硅晶圓持續高景氣，國內產業鏈相關公司將有望持續受益。金融界

5.三星延後擴產DRAM？空頭分析師認錯、改唱多美光

存儲業的情勢變化快速，不到一周前瑞銀分析師才出面高喊，2019年存儲市場將有「大修正」，美光會受重創。幾天後，這位分析師態度大逆轉，指稱三星電子延後DRAM擴產計劃，讓他改變對美光的看法，決定上調美光目標價。

巴倫(Barronˋs)報導，瑞銀分析師Timothy Arcuri 27日報告，對美光看法由空轉多，評等由「賣出」升至「中立」，目標價由42美元升至60美元。他的理由是今明兩年的DRAM價格跌勢，將比原本預期更為緩和。他先前估計，DRAM價格將從高點暴跌50%以上，跌幅大於2014~2016年。如今由於其他大廠調整供給，DRAM跌幅將縮小至45%。

Arcuri轉多，主要是另一DRAM大廠三星，似乎暫停南韓平澤廠的第三階段擴產計劃。三星停手的原因眾說紛紜，可能是技術問題，也有人猜測三星故意暫緩擴產、管理DRAM供給。Arcuri表示，如果三星在DRAM價格轉跌之前，就搶先延後擴後，相當不尋常，不過這個做法符合三星近年來「獲利優先」的策略。MoneyDJ

6.汽車半導體製造要求大不同，晶圓廠隨機缺陷率至為關鍵

1950年代，汽車製造中所採用的電子產品還不到製造總成本的1%。如今，電子產品的成本已經可以多達總成本的35%，並且預計到2030年將增加到50%。汽車行業電子產品的快速增長主要由以下四個方面驅動： ．系統監測和控制(電子燃油噴射、氣電混合動力等) ．安全系統(防鎖死煞車，安全氣囊等) ．高級駕駛輔助系統(偏離車道警告、停車輔助、盲點監控、自適應巡航控制等) ．行車便利(衛星導航、信息娛樂等)。

半導體元件是汽車中的電子產品總成的核心，按照汽車製造廠商和型號的不同，現代的汽車可能需要多達8,000個晶元，並且這個數字只會隨著自主駕駛汽車的普及而增加，額外的電子子系統及其所採用的積體電路將為無人駕駛汽車提供其所需的感測器、雷達和人工智慧。

汽車和輕型卡車的年產量是8,800多萬輛，每輛車中安裝數千個晶元產品，汽車行業對半導體製造業的影響已經開始顯現。一個簡單的事實就是汽車裡所採用的數千個晶元都不可以失靈。

汽車半導體零件的可靠性至關重要，任何在車輛行駛過程中出現故障的晶元都可能導致昂貴的保修維修和產品召回，並且可能會損壞汽車製造商的品牌形象，在極端情況下可能會導致人身傷害甚至危及生命。

如果一輛普通汽車中有5,000個晶元，汽車製造商每天生產2.5萬輛汽車，那麼即使是百萬分之一(ppm)的晶元故障率也會導致每天超過125輛汽車因為晶元質量出現可靠性問題。

由於半導體是汽車製造商故障排列圖中的首要問題，一級的汽車系統供應商現在要求半導體質量可以達到十億分之一(ppb)的級別，並且目前的趨勢是無論晶元數量多少，越來越多的供應商開始限定「最多允許的故障數目」。

目前發現可靠性故障的方法過度依賴於測試和老化試驗，結果是質量目標無法實現並且相去甚遠。同時，審計標準越來越具有挑戰性，推動晶圓廠在晶元製造的源頭就發現這些可靠性問題，因為這時發現問題並採取糾正措施的成本最為低廉。要進入這個不斷增長的市場領域，或者簡單地保持市場佔有率，積體電路製造商必須積極應對這種對於晶元可靠性要求的變化。

幸運的是，對於半導體製造商來說，晶元的可靠性與他們所熟知的東西高度相關：隨機缺陷。

事實上，對於設計良好的製程和產品而言，早期的晶元可靠性問題(外在可靠性)以隨機缺陷為主。殺手缺陷(影響良率的缺陷)是導致元件在時間t=0(最終測試)失敗的缺陷。潛在的缺陷(影響晶元可靠性的缺陷)是導致元件在t>0(在老化之後)發生故障的缺陷。

發現殺手缺陷(良率)與潛在缺陷(可靠性)之間的關係是通過觀察到影響良率的同一缺陷類型也影響可靠性。這兩者主要根據缺陷的大小以及它們在元件結構上出現的位置來區分。圖1顯示了導致開路和短路的殺手和潛在缺陷的例子。

圖1　影響良率的同一缺陷類型也會影響可靠性。主要根據缺陷的大小以及它們在圖案結構上的位置來區分。

良率和可靠性缺陷之間的關係並不局限於一些特定的缺陷類型；任何可能導致良率損失的缺陷類型也可能導致可靠性問題。故障分析表明，事實上大多數可靠性缺陷是製程相關的缺陷，並可溯源到晶圓廠。由於良率和可靠性缺陷具有相同的根本原因，因此提高良率(通過減少與良率相關的缺陷)將會提高可靠性。

圖2中的A曲線顯示了典型的良率曲線。 如果我們只考慮晶元良率，那麼在某個時候，在這個製程中進一步的投資可能不具備成本效益，因此隨著時間的推移良率趨於平穩。圖2中的B虛線顯示了製造相同產品的同一工廠的曲線。但是，如果他們想要為汽車行業供貨，那麼他們也必須考慮到可靠性不足的成本。在這種情況下，需要進一步的投資來進一步降低缺陷密度，這既能提高良率，又能提升汽車供應商所需的可靠性。

圖2 不同類型晶圓廠的收益率曲線(收益率相對於時間)。A曲線適用於非汽車工業的晶圓廠，主要考慮的是晶圓廠的盈利能力。在某一時刻，收益率已經足夠高，繼續試圖減低缺陷率並不實際。B虛線也是包括了可靠性的收益率曲線。對於汽車供應鏈中使用的積體電路產品，必須進行額外的投資，以確保高可靠性，這與收益密切相關。

由普通級晶元供應商轉型成為汽車供應商需要晶圓廠管理層面的模式轉變。成功的汽車行業半導體製造商早已採取以下策略：降低潛在(可靠性)缺陷的最佳方法是降低晶圓廠的總體隨機缺陷水平。這意味著要有一個世界一流的減低缺陷的策略，包括：基線良率提升、減低異常發生率、出現異常時能迅速發現並在線修復，以及使用晶粒篩選剔除可疑的晶粒。新電子

(本文作者為David W. Price博士和Jay Rathert是KLA-Tencor公司的資深總監。Douglas Sutherland是KLA-Tencor公司的首席科學家。過去15年來，他們直接與50多家半導體IC製造商合作，他們針對各種特定市場優化整體工藝控制策略，包括汽車可靠性，傳統晶圓廠成本和風險優化，以及針對先進設計規範的最佳上市方法。)

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