中國發展第三代半導體材料傳好消息，又一家上市公司布局

今日推薦

source：耐威科技官網

原標題：又一家上市公司發力第三代半導體材料！

耐威科技發力第三代半導體材料，其氮化鎵材料項目宣布簽約青島。

7月5日，耐威科技公告稱，公司與青島市即墨區人民政府、青島城市建設投資（集團）有限責任公司在2018年國際集成電路產業投資（青島）峰會上簽署《合作框架協議書》。

首先回顧一下這次合作背景。今年5月24日，耐威科技宣布與袁理先生、青島海絲民和半導體投資中心（有限合夥）、青島民芯投資中心（有限合夥）共同投資設立兩家控股子公司——聚能晶源（青島）半導體材料有限公司與青島聚能創芯微電子有限公司，耐威科技分別持股35%、40%。

兩家控股子公司業務均與氮化鎵（GaN）相關：聚能創芯主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設計、開發；聚能晶源主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產。

隨後，耐威科技將聚能晶源項目落地青島市即墨區，青島城投擬通過青島海絲民出資參與聚能晶源項目，因此有了這次耐威科技、青島城投與青島即墨政府簽署合作協議。

協議內容包括：

（1）為幫助和儘快形成產能，佔領國內第三代半導體材料市場份額，青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項目合作協議，為聚能晶源提供一系列項目支持；

（2）為支持聚能晶源吸納骨幹尖端人才，各方互相協助使得聚能晶源為本項目引進的優秀人才切實享受到青島市、區等各項人才優惠政策。

（3）聚能晶源預計本項目投資總額不少於約2億元人民幣：2018年年底前投資總額不低於 5000 萬元人民幣，2020年底前投資總額不低於1.5 億元人民幣；

（4）聚能晶源未來產品線將覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化鎵（GaN）材料公司，項目主要產品有面向功率器件應用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應用的氮化鎵（GaN）外延片等。

耐威科技表示，這次合作有利於公司加快第三代半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產進度；有利於公司把握產業發展機遇，儘快拓展相關材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯網等領域的推廣應用；有利於公司以感測為核心所進行的「材料-晶元-器件-系統-應用」的全面布局。

耐威科技緊密圍繞軍工電子、物聯網兩大產業鏈，一方面大力發展導航、MEMS、航空電子三大核心業務，一方面積極布局無人系統、智能製造等潛力業務，主要產品及業務包括軍/民用導航系統及器件、MEMS晶元的工藝開發及晶圓製造、航空電子系統等。

2016年耐威科技全資收購瑞典純MEMS代工企業Silex（賽萊克斯），正式切入MEMS領域並作為其重點發展及投資方向。2016年11月，耐威科技宣布在北京投資建設「8英寸MEMS國際代工線建設項目」，該項目獲得國家集成電路產業基金的支持，目前項目建設正在高速推進中。

國內氮化鎵正在追趕

半導體材料是製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料，其發展經歷了三個階段：第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表；第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）；第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石為代表。

第三代半導體材料因其禁帶寬度（Eg）大於或等於 2.3 電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子 速率等優點，可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

由於性能優越等原因，許多發達國家將第三代半導體材料列入國家計劃，竭力搶佔戰略制高點，我國也早已開始有所部署。

2013年國家科技部在「863」計劃新材料技術領域項目徵集指南中明確將第三代半導體材料及其應用列為重要內容，2015年、2016年國家科技重大專項02專項也對第三代半導體功率器件的研製和應用進行立項。

但總體而言，國內在氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）材料及器件方面的發展起步較晚，與國際水平仍有較大差距，目前正在積極布局中。

氮化鎵（GaN）方面，除了正在入局的耐威科技外，相關企業還有蘇州能訊、中稼半導體、三安光電、海特高新、英諾賽科、江西晶能等。

其中，蘇州能訊已自主開發了氮化鎵材料生長、器件設計、製造工藝、封裝與可靠性技術，是國內首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產企業；海特高新控股子公司海威華芯的氮化鎵已成功突破6英寸GaN晶圓鍵合技術；英諾賽科（珠海）科技有限公司8英寸硅基氮化鎵（GaN）生產線也已實現量產......

隨著全球半導體第三次產業轉移，中國作為全球最大的半導體市場，在第三代半導體材料領域機遇與挑戰共存，需腳踏實地努力實現彎道超車。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！