內存又要漲價？三星正式量產第五代3D快閃記憶體：提速40％！

7月10日，三星電子官方正式宣布，三星已經開始量產第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體！在提升速度的同時，也升級了容量！

根據三星官方介紹，三星的第五代V-NAND採用的是96層堆疊設計，這也是目前行業中最高的業界巔峰，而三星設計存儲單元以金字塔結構堆積，並在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞，尺度僅有幾百微米寬。

此外，三星在第五代V-NAND還使用了Toggle DDR 4.0介面，這也是業內首次使用！第五代V-NAND在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps，相比上代64層堆疊的快閃記憶體提升了40％！並且電壓還從之前的1.8V降至1.2V，能效比提升了。

值得注意的是，三星還透露稱，三星目前還正在開發128GB大小容量的QLC V-NAND快閃記憶體顆粒。

問題來了，快閃記憶體價格會漲還是會降呢？

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