微電子所在氮化鎵高壓電力電子器件領域取得突破性進展
近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心在氮化鎵高壓電力電子器件領域取得突破性進展，提出了一種低損傷、高性能的新型氮化鎵橫向肖特基二極體結構，有望提升各類電源和無線充電系統的效率和功率密度，顯著降低系統成本，具有廣闊的市場前景。
肖特基二極體是各類電源模塊、UPS、光伏發電、電動汽車、無線充電應用中必不可少的原件，主要用於整流、續流以及防護用途。對比傳統的硅基肖特基二極體，氮化鎵肖特基二極體更耐壓，適合於300V以上的電路系統，具有非常廣闊的應用空間。傳統的氮化鎵肖特基二極體存在開啟電壓與反向泄露電流相互制約的問題。為滿足大規模生產製備的需求，開發具有高均勻、高可靠的工藝是實現氮化鎵肖特基二極體產業化的關鍵。
微電子所副所長劉新宇研究員的研究團隊提出了一種基於AlGaN/GaN異質結材料體系，通過採用導電機制融合和能帶分區調控的先進技術路線改變傳統氮化鎵肖特基二極體正向電壓與反向電流等參數之間的經典調控規律，採用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進一步提升了氮化鎵肖特基二極體的性能。測試結果達到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極體器件市場提供了一種新選擇。
基於該研究成果的論文「Recess-Free AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Controlled Schottky Rectifier with Low Turn-on Voltage and High Reverse Blocking」被2018年IEEE國際功率半導體器件與功率集成電路會議（ISPSD 2018）收錄，團隊成員康玄武在大會上作了口頭報告，這是中國科學院的科研團隊首次受邀在該頂級國際會議上作大會報告。會後康玄武與產業界公司安森美（ON Semiconductor）和英飛凌（Infineon）等進行了深層次技術交流並達成合作共識。
ISPSD是國際公認的功率半導體器件和功率集成電路領域最權威、最大型的頂級國際學術會議，是功率半導體器件的頂級國際會議。
（1）高擊穿肖特基的的典型反向I-V特性。（2）高均勻性的器件正嚮導通性能。（3）該器件與同行業的器件性能比較
團隊成員受邀參加2018 ISPSD國際學術大會，並作大會報告
與分會場主席安森美Peter Moens博士、華功半導體副總裁劉楊博士以及IMEC和EPC的資深技術人員交流
