領先行業兩年 三星正式量產第五代快閃記憶體

【手機中國新聞】7月11日，根據外媒報道，三星電子目前已經正式開始量產第五代三維(3D)V Nand快閃記憶體，本月起已在京畿道平澤工廠投入批量生產。這是三星電子在上一代產品時隔1年零7個月之後再次升級。

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三星電子發布公告稱將批量生產全球首款256Gb的第五代V Nand相比於第四代產品，新產品的數據處理速度達到每秒1.4Gb，比第四代快40%。啟動電壓減少了33%(1.81.2V)，數據使用時間(500微秒)也加快了30%。

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考慮到東芝、WDC、鎂光等競爭公司是以第四代64~72層產品為主力軍，三星的第五代V Nand的「三維(圓筒形)CTF 存儲單元(Cell)」層數超過90多層。快閃記憶體的層數越高，在實現統一容量方面需要的晶元就越少。

根據全球半導體觀察(DRAMeXchange)的資料顯示，三星電子在今年第一季度創下了37%的Nand Flash佔有率。而中國今年計劃批量生產32層的3D Nand，相當於第二代快閃記憶體技術。

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