三星宣布開始生產第五代V-NAND快閃記憶體

與前一代產品達到1.4Gbps的峰值相比，後者使存儲和RAM之間的傳輸速度提高了40％。但隨著更好的性能，電壓從1.8V降至1.2V。

新的V-NAND還具有最快的數據寫入速度，延遲僅為500微秒，這是在寫上一代的速度提高了30%，而響應時間讀信號已顯著降低到50μS（微秒）。

第五代V-NAND晶元的構建與之前的相似，它配備了90層的3D TLC CTF快閃記憶體存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔。這些孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過850億個CTF單元，每個單元存儲多達3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。

三星將迅速擴大其第五代V-NAND生產以滿足市場的廣泛需求，將應用在如超級計算機、企業伺服器和最新的移動應用等高級智能手機方面。

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