三星96層3D NAND顆粒投產 號稱產能提升30％

隨著快閃記憶體市場價格逐漸穩定下來，人們的期待也開始從「不漲」慢慢往「降價」上轉移；而想要價格降下來，那就一定要依靠技術和生產工藝的提升。三星日前已開始量產它們的第五代3D NAND快閃記憶體顆粒，層疊層數從64層加厚至96層，進一步提升存儲密度的同時而不影響耐久和可靠性，更重要的是產能也能得到30%的提升。

三星的第五代V-NAND技術在性能方面其實也有不小的改進，它採用的Toggle DDR 4.0介面運行速率已經從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V，可以抵消掉介面提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降，其讀取延遲已壓縮到50微秒，寫入延遲降低30%達到500微秒。

關於這一代3D NAND的製程技術改進細節三星並沒有透露多少，目前可知的是每個存儲層的厚度已經削薄了20%，以及文首處提及的30%產能提升。三星首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC，是消費市場和手機存儲里常見的規格，對它來說優先考慮需求量大的市場是必然的選擇，至於供應伺服器和數據中心SSD的1Tb QLC NAND之後再說。

對我們這群普通消費者來講，期待這批新顆粒應該就是三星下一代SSD產品的事情了。

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