一騎絕塵 三星96層3D V-NAND快閃記憶體開始量產

近兩年3D NAND發展速度十分迅猛，2018年各大廠商的之間的堆疊大戰一直在進行著，目前市場中的主流產品堆疊層數各家基本持平，都保持在64層的階段。但是這一平衡即將被打破，三星電子宣布第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體已經開始量產，其堆疊層數達到96層，堆疊層數為業界最高。

三星第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體採用的是TLC顆粒，內部包含超過850億個3D TLC CTF存儲單元，每個單元可以存儲三位數據，核心容量為256GB，雖然沒有容量方面沒有誇張式的增長，但是性能表現卻十分驚人。

首先，三星第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體業界首次採用Toggle DDR 4.0介面，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND快閃記憶體相比提升了40%。其寫入速度為500us，比前代64層堆棧的V-NAND 3D堆疊快閃記憶體快了30%的同時，讀取響應速度縮至50us。工作電壓由上一代的1.8V優化至1.2V，極大的降低了實際的功耗。

此外，三星第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體在生產工藝方面也做出了改進，全新的工藝將沒個單元高度降低了20%減少了單元之間的干擾，讓數據交換處理變得更加有效率，一系列改進促使其生產效率提高了30%。

據了解，三星目前正在全力擴大第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體的生產線以增加產量。另外還有消息稱，三星正在計劃開發1TB（128GB）容量的QLC V-NAND快閃記憶體顆粒，來降低超大容量的SSD產品售價，以滿足伺服器、超算等高密度存儲領域需求。

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