三星正式宣布量產第五代 V-NAND 快閃記憶體晶元

近日，三星正式宣布開始量產第五代 V-NAND 儲存晶元。

據介紹，三星第五代 V-NAND 內存晶元採用了 96 層堆疊設計，其也是業內第一個採用 Toggle DDR 4.0 介面的產品，通過此介面傳輸數據的速度高達 1.4Gbps，比上代產品提高了 40％。同時，其寫入速度達到 500 微秒，比上一代提高了約 30％，讀取數據的響應時間也減少到 50 微秒。

此外，第五代 V-NAND 內存晶元配備了 90 層的 3D CTF Cell 單元，成為市面上堆疊層數最高的 3D NAND TLC 架構內存晶元。

三星表示，會率先打造與自家消費類 SSD 所使用尺寸相同的單模 256GB V-NAND 快閃記憶體晶元，並且計劃未來推出基於第五代 V-NAND 的 1TB 的 QLC 產品。

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