三星第五代3D NAND快閃記憶體顆粒開始量產，層疊數超過長江存儲

三星日前已開始量產它們的第五代3D NAND快閃記憶體顆粒，層疊層數從64層加厚至96層，進一步提升存儲密度的同時而不影響耐久和可靠性，更重要的是產能也能得到30%的提升。

三星的第五代V-NAND技術在性能方面有不小的改進，它採用的Toggle DDR 4.0介面運行速率已經從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V，可以抵消掉介面提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降，其讀取延遲已壓縮到50微秒，寫入延遲降低30%達到500微秒。

三星首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC，是消費市場和手機存儲里常見的規格，對它來說優先考慮需求量大的市場是必然的選擇，至於供應伺服器和數據中心SSD的1Tb QLC NAND之後再說。

據業內消息稱，紫光集團旗下的長江存儲技術公司(YMTC)正在規劃開發自己的DRAM內存製造技術，而且可能直奔當今世界最先進的20/18nm工藝。

長江存儲技術公司是紫光集團收購武漢新芯部分股權後更名而來的，並邀請了台灣華亞科技董事長高啟全(Charles Kau)加盟，出任全球執行副總裁。長江存儲計劃在今年底提供32層堆疊3D NAND快閃記憶體的樣品，然後繼續開發64層堆疊。

國產快閃記憶體顆粒和三星差距不是一點點呀，要努力！歡迎關注、點贊、留言參與討論！

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