三星宣布量產90層堆疊的第5代V-NAND快閃記憶體

全球存儲器龍頭廠三星10日宣布，正式量產堆疊數高達90層的第5代V-NAND快閃記憶體。該項產品不但堆疊數為當前最高，而且還首發Toggle DDR 4.0傳輸介面，使得傳輸速率達到了1.4Gbps。

三星的V-NAND是3D NAND快閃記憶體中的一種。目前市場中的主力，還是堆疊數64層的第4代V-NAND快閃記憶體。如今，三星宣布正式量產的是第5代V-NAND快閃記憶體，其核心容量256Gb並不算高，但是各項性能指標卻不能小覷。

其中，它是業界首發支援Toggle DDR 4.0傳輸介面的V-NAND快閃記憶體，傳送速率達到了1.4Gbps，相較過去64層堆疊的V-NAND快閃記憶體來說，足足提升了40%。

而除了採用新的傳輸介面以提升速率之外，第5代V-NAND快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化。其工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的500us，這個速度也是比上一代V-NAND快閃記憶體提升了30%。至於，在讀取速率上的回應時間也縮短到了50us。

據了解，三星的第5代V-NAND快閃記憶體，內部堆疊了超過90層CTF Cell單元，是目前市面上堆疊層數最高的3D NAND TLC架構快閃記憶體。這些儲存單元通過微管道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存3位元資料。

此外，第5代V-NAND快閃記憶體在製程技術上也做了改進，製造生產效率提升了30%。而藉由先進的製程技術，使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間干擾的發生率，提高了資料處理的效率。三星目前正在加強第5代V-NAND快閃記憶體的量產，以便滿足高密度儲存領域，包括高效能運算、企業伺服器及移動設備市場的需求。

而除了第5代V-NAND快閃記憶體的量產之外，三星目前也還在擴展V-NAND快閃記憶體，準備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃記憶體，及QLC架構的快閃記憶體產品，繼續推動下一代快閃記憶體發展。

來源：TechNews科技新報

圖片聲明：如果我們使用了您的圖片，請作者與本站聯繫索取稿酬。如您不希望作品出現在本站，可聯繫我們要求撤下您的作品。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！