市場競爭激烈，得一微電子堅持自主創新，2018下半年放大招！

專訪 | 得一微電子

在經過2年時間缺貨和漲價後，2018年3D NAND產能傾巢而出，同時國際原廠、國內企業等建廠動作頻頻，且下一代96層3D NAND技術競爭加劇。然而，不僅僅是上游原廠競爭激烈，主控廠之間的競爭也是硝煙四起，在NAND Flash市場供需博弈下，得一微電子將如何應對原廠技術的變化，怎麼看待後市發展，以及遇到哪些機遇和挑戰？

註：得一微電子（YEESTOR）是國內專註存儲控制晶元設計的主控廠，由硅格半導體與立而鼎科技於2018年4月合併成立。

問

2018年3D NAND快速普及，得一微電子如何應對原廠技術變化，以及怎樣看待下一代QLC和96層技術發展？

以前VS現在，技術的進步

得一微電子市場總監羅挺表示，2018年原廠三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士等3D NAND產出比重都已超過50%，並且不同程度的普及到SSD、UFS、eMMC、Micro SD、U盤等快閃記憶體產品上。得一微電子緊跟原廠技術的發展，堅持自主研發且不斷提升技術實力，對於2D NAND，BCH糾錯碼長已從24Bit提高到72Bit，對於3D NAND的發展，ECC糾錯技術向LDPC升級幫助客戶由2D向3D過渡，且糾錯碼長可以達到1KB、2KB，且正在開發4KB，不斷提高ECC糾錯技術。

受訪人 | 得一微電子市場總監，羅挺

對於3D NAND技術的發展，羅挺表示，目前原廠主力量產64層/72層 3D NAND，英特爾還推出了QLC架構的64層3D NAND，下一代則是96層3D NAND，2020年是128層，2022年將升級到144層。但隨著堆疊層數的增加，以及4bit架構QLC的應用，使得3D NAND穩定性、可靠性等受到影響，得一微電子通過強化控制晶元技術加強3D NAND性能，保證質量和品質。同時，得一微電子已支持英特爾64層QLC NAND（N18A），並已經完成了美光96層3D NAND（B27A）的調試。由於原廠96層3D NAND還未大量供貨，預估2019年才會有產品面世。

問

2018年原廠擴大3D NAND產出，導致市場價格持續下滑，得一微電子怎麼看後市發展，市場有哪些機會點？

對產業發展的前瞻性和預見性

2018上半年NAND Flash市場供應相較於前兩年缺貨的情況明顯改善，甚至有些供應過剩。據中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket報價顯示，2018上半年NAND Flash綜合價格指數累計下滑高達35%，已回到2016年漲價時的價位。此外，三星、東芝/西部數據、美光、SK海力士等均加大投資規模新建工廠，給後續市場的發展增加了變數。

對於市場行情的變化以及未來行情的發展，得一微電子市場總監羅挺認為，原廠目前64層3D NAND良率已從過去的50%提高到80%以上，這導致市場NAND Flash供應大幅增加，而市場需求對NAND Flash的消耗量每年大約增長40%，從而讓市場供需關係從缺貨向供需平衡，部分市場略顯過剩的行情轉變，這也是導致價格下滑的主因，預計未來NAND Flash仍將持續緩跌的趨勢。

受訪人 | 得一微電子市場總監，羅挺

不過，正是因為2018上半年價格下滑，SSD價格已回到漲價前並跌破了歷史低點，SSD價格降至甜蜜點有助於2018下半年需求的增加，羅挺預計2018年全球SSD市場出貨量將有望達到1.8億顆-2億顆，相較於2017年增長20%以上。

另一方面，全球手機市場雖然出貨增量有限，但旗艦機容量基本從64GB起跳，甚至出現TB級容量的手機，將大量消耗NAND Flash產能，同時大容量需求會推動UFS在千元機上的應用增加，搶佔更多eMMC的市場份額，得一微電子看到了SSD和手機市場的機會。

問

在SSD市場和嵌入式市場，得一微電子有哪些產品規劃？

開拓市場，產品技術與發展

2018年不僅僅原廠在QLC、96層3D NAND新技術，投資擴產等方面競爭激烈，SSD主控廠之間競爭也是硝煙四起。除了Marvell、慧榮、群聯等主控廠跟進QLC和96層3D NAND技術外，得一微電子將在Q4推出自主研發的新一代支持96層和64層QLC的PCIe SSD和UFS2.1控制晶元，以及尋找在工業級、軍用、汽車等市場上的應用機會，開拓市場。

得一微電子豐富且多元化的產品線

據得一微電子市場總監羅挺介紹，得一微電子與Flash原廠保持緊密的聯繫，產品性能、品質、可靠性是首要考量基準，定位於主流的消費類市場。目前產品線包括嵌入式存儲eMMC 5.X控制晶元YS8293EN/YS8293，SATA SSD控制晶元YS9083XT/YS9081XT和PCIe SSD控制晶元YS9201，通用存儲USB3.1控制晶元YS7081/YS5081和USB2.0控制晶元YS1583/YS1581，SD控制晶元，以及安全存儲控制晶元等。

得一微電子最新控制晶元產品參數列表

更值得注意的是，得一微電子將在2018下半年推出新一代SSD、UFS、eMMC、SD控制晶元， 其中PCIe SSD控制晶元YS9203採用28nm工藝，支持PCIe Gen3X4介面，相較於上一代YS9201支持PCIe Gen3x2，具有更高的傳輸速度，UFS控制晶元YS8803則支持UFS2.1規範協議，採用LDPC糾錯技術，兩款晶元都將在Q4量產。另外，eMMC 5.X控制晶元YS8295和SD控制晶元YS6295/YS6285將都在Q3量產。

得一微電子大波控制晶元新品來襲，不僅全面支持各家原廠64層TLC，還支持英特爾64層QLC（N18A），而且PCIe SSD控制晶元YS9203已完成了美光96層B27A的調試，SD控制晶元更是全球首個支持LDPC糾錯技術，不僅體現了自主研發的能力，更是引領應用發展的趨勢。

問

中國大力發展存儲產業，得一微電子如何滿足本土市場需求？

中國企業，自主研發的決心和信心

中國是全世界唯一擁有聯合國產業分類中全部工業門類的國家，2018年中美貿易戰持續升溫，中興事件等影響，凸顯出中國在尖端製造方面關鍵技術的匱乏。得一微電子市場總監羅挺認為，中美貿易戰是短暫的，而作為一個中國企業，從中興事件中受到啟發，深知企業供應鏈安全的重要性，得一微電子堅持技術自主創新，可以在供貨安全上給客戶提供另一個選擇的機會。

羅挺還表示，得一微電子也做好了長期技術競爭的準備。2018年4月硅格半導體主導與立而鼎科技合併成立得一微電子，並獲得A輪3億人民幣融資。兩家都屬於存儲主控企業，擁有相同的eMMC產品線，加上硅格半導體的USB和SD產品線，得一微電子產品線將更加多元化，可實現客戶一站式服務和多方位定製化服務。同時，得一微電子的團隊達到170人，服務客戶也從主要的大陸市場擴展至台灣地區，以及美國、韓國、新加坡、印度等。

另外，得一微電子所獲得的3億人民幣融資也都將重點用在PCIe SSD控制晶元的研發上，未來團隊將擴大至200-300人。得一微電子已實現了從50nm過渡到40nm，在2018下半年即將發布的PCIe SSD控制晶元YS9203採用的是28nm，這也是Marvell、慧榮、群聯等主流的工藝技術，未來規劃16nm工藝的PCIe 4.0的SSD產品線，且保持持續投入的狀態。

中國快閃記憶體市場致力於為客戶提供最新資訊、產品報價、數據彙集、產業分析、專題報道，以及最專業的存儲產業諮詢服務。

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