96層堆疊 三星量產第五代V-NAND快閃記憶體

近日，三星電子正式宣布開始批量生產第五代3D V-NAND快閃記憶體，該晶元採用96層堆疊設計，相比上一代產品，第五代性能V-NAND性能更高，功耗更低，V-NAND另一大亮點則是首次使用Toggle DDR 4.0介面。

三星V-NAND（圖片源自samsung）

全新V-NAND相比64層NAND在性能上有所增加，數據傳輸速度可達到1.4Gbps，寫入延遲僅為500微秒，相比上代提升30％，讀取信號響應時間縮短到50微秒，性能的提升主要源於主要工作電壓從1.8V降至1.2V。

第五代V-NAND晶元結構與前代相似，成金字塔狀堆疊，中間留有微小孔用作通道，尺度僅為幾百微米，內部存儲單元集成數超850億個，每個單元存儲數據達到3比特。

三星表示第五代V-NAND將廣泛應用於移動設施和企業伺服器，並持續擴大全新V-NAND的產能。

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