三星今明兩年將在NAND快閃記憶體上投入150億美元：提質增產

今年以來，Flash快閃記憶體供應充足，SSD的價格從去年的高位被「打回原形」，消費者終於可以慢慢挑選了。

據Chosun Ilbo報道，韓國產業鏈的消息人士透露，三星今年投資在NAND Flash快閃記憶體上的資本支出預計是64億美元，2019年更是會提高到90億美元。

這些投入首先是用於提高3D快閃記憶體的產能，包括位於平澤市和中國西安市的工廠，其次是先進技術。本周，三星宣布量產第五代3D V-NAND快閃記憶體，採用96層堆疊、單Die 32GB容量，領先競爭對手兩年的時間。

IC Insights分析指出，三星釋放信號僅是個開端，未來幾年，SK海力士、美光、Intel、東芝、西數/閃迪、長江存儲/武漢新芯等都表態在未來擴充快閃記憶體產能，由此可能會出現供應量剎不住車的超調風險。

（快科技 萬南）

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