本周重磅！SK海力士8英寸新廠落戶無錫；三星量產第五代3D NAND快閃記憶體……

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SK海力士8英寸新廠落戶無錫

近日，有不少韓國媒體報道稱，韓國第二大存儲器製造廠商SK海力士在周二宣布，將在中國無錫建立一家合資企業，並建設一條新的8英寸（200毫米）晶圓模擬生產線。

新廠預計今年下半年啟動建設，2019年下半年完工、2020年正式啟用生產。SK海力士的一名官員表示，目前該公司正在尋求減輕對DRAM和NAND快閃記憶體產品的依賴性，並促進新的增長點。而無錫新廠則專註於晶圓代工業務，將主要生產感測器、電源管理用晶元等類比IC。

資料顯示，SK海力士無錫新廠名為「海辰半導體（無錫）有限公司」，由SK海力士去年7月份獨立的晶圓代工子公司SK海力士系統IC公司和無錫產業發展集團有限公司共同投資成立。其中SK海力士系統IC公司負責新廠的興建與設備投資，無錫產業發展集團則負責提供其他必要的基礎設施。

據報道，SK海力士2017年的晶圓代工業務營收為2.6億美元、全球市佔率僅0.4%。不過為了強化這方面的競爭力，SK海力士不惜剝離晶圓代工業務。只是需要注意的是，在該領域，前有台積電、格芯、聯電等廠商分食市場，後有中芯國際等廠商的奮力追趕，SK海力士能否達到提升盈利的目標，還有待後續觀察。

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三星量產第五代3D NAND快閃記憶體

7月10日，存儲器大廠三星宣布，正式量產第五代3D NAND快閃記憶體顆粒，堆疊層達到96層，這也是目前堆疊層數最高的快閃記憶體產品。該快閃記憶體內部集成了超過850億個3D TLC CTF快閃記憶體存儲單元，每單元可保存3比特數據，單Die容量為256Gb。儘管256Gb的核心容量並不算高，但在其他性能指標方面，該產品卻可圈可點。

據悉，三星第五代3D NAND快閃記憶體首發Toggle DDR 4.0傳輸介面，傳輸速率從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，較過去64層堆疊的3D NAND快閃記憶體而言，足足提升了40%。

在性能和功耗方面，該快閃記憶體的電壓從1.8V降至1.2V，寫入速度也是目前最快的，僅500us，比上一代3D NAND快閃記憶體提升了30%，讀取速率的回應時間也縮短到 50us。

除了傳輸界面和性能功耗的升級，三星第五代3D NAND快閃記憶體在製程技術上的優化也值得一提，製造生產效率提升了30%，先進的工藝使得每個快閃記憶體單元的高度降低了20%，減少了單位之間的竄擾，提高了數據處理的效率。

目前，三星正在加強第5代3D NAND快閃記憶體量產，以便滿足高密度儲存領域，包括高效能運算、企業伺服器及移動設備市場的需求。

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英特爾或剝離半導體晶圓廠

近年來，英特爾10納米製程被競爭對手台積電、三星超越，而10納米製程節點的延遲也一直困擾著英特爾。不過，未來英特爾的業務或將出現重大改變。近日，有國外媒體報道稱，英特爾準備晶圓代工業務切分，而時間點就落在2020年到2021年之間。

報道指出，待英特爾分拆晶圓代工業務之後，其業務模式會效仿IBM的做法，即將晶圓代工拆分後出售。2014年，IBM公司將旗下的晶圓代工業務出售給了格芯（GLOBALFOUNDRIES）。

從技術製程而言，當前英特爾可謂是遠遠落後於台積電、三星、格芯。其中台積電和三星目前都在進行5納米製程技術的研發，預計都將在2020年進入量產，且台積電的3納米製程也已經投入了相關的研發資源，預計2022年可以進入試產階段。而格芯的7納米製程也預計將在2019年量產。

值得注意的是，即使是台積電（2017年營收320億美元）這樣的代工巨頭，要想拿下年營收600億美元的半導體廠商英特爾旗下的晶圓代工業務，也並非易事，因此有不少業內人士認為，英特爾最有可能的做法是，將晶元設計及銷售與晶圓代工業務分拆成兩大部分，而不會將其出售。

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