來源：內容由公眾號 半導體行業觀察（ID：icbank） 原創

日前，三星宣布其第五代V-NAND晶元正式量產。因為首次採用了Toggle DDR 4.0介面界面，在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40％，同時電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高。正在大家感嘆於三星的技術進展神速的時候，三星再祭出一個大殺招，那就是繼續投資擴充產能。

這對於正在投入巨資爭取Flash國產化的長江存儲來說，無疑是一個大挑戰。

雙管齊下增強快閃記憶體市場影響力

據半導體行業觀察（微信號：ICBANK）了解，三星前一代的V-NAND是64層的，新產品除了上面介紹的那些提升以外，延遲、耐久和可靠性有了一定的提高，且每個存儲層的厚度已經削薄了很多。三星方面披露的消息可以看到，其第五代的首批採用了96 layer的設計，不但能將單die的容量擴充到32GB（手機等消費電子常用的規格），同時還將產能提升了30%。

與此同時，韓媒表示，三星上調了NAND Flash的投資到150億美元，擴大韓國平澤工廠和中國想工廠的產能。技升級術和產能擴產雙管齊下，考慮到三星在這個市場的影響力，NAND Flash一場「大戰」在所難免。

分析機構DRAMeXchange的數據顯示，2018年第一季度，三星存儲的時候高達37%，雖然較之上一季度有了5.6%的下滑，但是從份額上看，幾乎是是全球排名第二的東芝的兩倍。可以看到三星在這個市場的巨大影響力。

2018年第一季度NAND Flash品牌廠商營收數據

超高的市場份額，加上產品的缺貨和漲價影響，也帶動了三星在過去兩年業績的攀升。2017年三星總收入2247.3億美元，同比增長了18.7%，全年利潤也高達395.7億美元。而在今年第一季度，三星凈利潤將達到歷史新高的107億美元，同比增長52.11%。

可以看到，依賴於技術優勢，三星掙到了份額和大量的鈔票。

長江存儲投入巨資欲打破壟斷

從上圖可以看到，來自美日韓三國的三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士和英特爾總共佔領了全球99%的NAND Flash出貨量，而中國作為最大的電子製造國，加上近年來國產手機、大數據和伺服器存儲等需求的攀升，國內的NAND FLASH需求也在增加。

據數據顯示，早在2014年，國內消耗的NAND Flash全球佔比就高達20.6%，這幾年的份額佔比絕對也是有增無減。而去年，我國進口的兩千多億晶元中，包括NAND FLASH和DRAM在內的存儲晶元的佔比更是接近50%，達到889.21億美元。加上快閃記憶體市場未來看好，因此無論是從經濟或者是自主可控來看，發展國產存儲是勢在必行。而紫光集團旗下的長江存儲在過去兩年一直執行這個相關攻堅工作。

長江存儲成立於2017年7月，是紫光併購武漢新芯而成立的新公司。確定了3D NAND Flash為發展目標後，紫光集團延攬了台灣DRAM教父高啟全來操盤，並取得了快速進展。

趙偉國展示長江存儲32層64G存儲晶元

2017年9月，長江存儲一期提前封頂；同年11月中旬，紫光集團董事長趙偉國參加央視《對話》欄目中展示了一顆32層64G存儲晶元。他表示這枚晶元價值10億美元，是長江存儲1000人幹了2年時間研發出來的；12月在烏鎮舉辦的世界互聯網大會上，趙偉國正式宣布，紫光旗下的長江存儲已經研發出了32層64G的完全自主知識產權的3D NAND晶元，2018年將實現量產。

長江存儲裝機儀式

今年四月的時候，長江存儲機台正式搬入。啟動儀式上，紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全披露，長江存儲的3D NAND快閃記憶體已經獲得第一筆訂單，總計10776顆晶元，將用於8GB USD存儲卡產品；次月，來自荷蘭ASML的193nm沉浸式設計，可生產20-14nm工藝的3D NAND快閃記憶體晶圓的光刻機也抵達武漢。這代表著國內實現 3D NAND 量產的全新起點，對中國半導體產業極具里程碑意義！

而他們也計劃從明年開始投入64層堆疊、單顆容量16GB快閃記憶體的研發。國內存儲正在走上一條高速發展的道路，但危機似乎已經顯露。

三星等廠商意在「絞殺」國產存儲？

自由競爭的市場是非常殘酷的，因為領先者可以憑藉其技術、價格、經驗甚至現金流打敗你。而長江存儲也正在面臨同樣的威脅。

前面已經提到，三星已經成為NAND Flash領域的全球領導者，他們的產品和技術是毋庸置疑的，且已經經過市場考驗的。對於開發者來說，選擇三星他們的產品，是一個高枕無憂的方案。對於新入者來說，如果在產品性能或者價格方面你沒有太大的優勢，是根本無法在一個市場上與成熟的競爭者競爭。

以長江存儲為例，如果說去年高漲的NAND Flash價格高企，是他們的一個巨大的機會，但現在各大廠商的NAND Flash的放量和擴產，NAND Flash供過於求，價格下探，根據inSpectrum Tech Inc.的數據，128G MLC NAAD 快閃記憶體晶元的價格下跌約9％。價格優勢的小時，給長江存儲帶來了潛在的壓力。

與價格持續高企的DRAM不一樣，NAND Flash在經歷了去年的瘋漲以後，今年頹勢盡顯。按照DRAMeXchange在今年六月底的分析，2018年上半年NAND Flash市場狀況，受到傳統淡季衝擊及64 / 72層3D NAND產能穩定擴張影響，各類產品合約價已連續兩季下跌。展望第四季，在供給面雖然新增產能不多，但供應商的64 / 72層產品良率預期皆將接近或超過80%水準，達到成熟狀態，加上供應商並準備新增或轉移產能至96層工藝，帶動產出持續成長，NAND Flash價格恐進一步下跌。

但在三星宣布進一步加大投資擴產以後，他們或許想重演當初DRAM的「壯舉」，長江存儲面臨的形勢更加嚴峻。在這裡，我們談一下三星在DRAM上面的一系列「神操作」，方便大家理解這背後的邏輯。

2017年Q4 DRAM 的市場份額

眾所周知，三星除了NAND FLASH是全球領先之外，他們在DRAM方面也是名列前茅的，在這個領域，他們的份額更是接近50%，遙遙領先於第二名。前三供應商也佔有全球近96%的市場份額。但這在2008年之前，寡頭效應還沒那麼強。

2007年Q2的DRAM銷售排行

知名博主飯統戴老闆在其文章《內存的戰爭》中有提到，2008年金融危機前，全球共有五大DRAM供應商，分別是：三星（韓）、SK海力士（韓）、奇夢達（德）、鎂光（美）和爾必達（日），五家公司基本控制了全球DRAM供給。但三星以獨霸天下為目標，以政府輸血為手段，在價格下跌、生產過剩、其他企業削減投資的時候，你是瘋狂擴產，通過大規模的生產進一步下殺產品價格，逼迫競爭對手推出市場或者破產，這就是所謂的「反周期定律」，在這次的廝殺中，三星把日本最後的DRAM廠商爾必達打到破產，而曾經不可一世的奇夢達也消失了，三星也吃掉了他們的大部分市佔。在過去的幾十年發展中，三星實施了三次這種反周期定律，一家獨吃兩大存儲市場。也許在NAND Flash領域，三星將啟動其第四次「反周期定律」。

因為數據上看，國內無疑是三星最大的存儲市場，如果長江存儲發展起來，首當其衝的是他們無疑，從生意的角度看，在自由競爭的市場打擊競爭對手，是他們的本分。對於正在襁褓中的長江存儲來說，前路則是荊棘滿途。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！