三星首發LPDDR5內存晶元：6400Mbps、功耗降低30％

7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發出業內首款LPDDR5-6400內存晶元，基於10nm級（10~20nm）工藝。

據悉，該LPDDR5內存晶元單顆容量8Gb（1GB），8GB容量的模組原型也做出並完成功能驗證。

其它基本規格還有，內存速度（針腳帶寬）最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱，每秒可以傳送51.2GB數據（比如高端手機常見的64bit bus），相當於14部1080P電影（每部3.7GB）。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。

與此同時，功耗比LPDDR4X降低高達30%，主要是得益於動態調節電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術加入。

三星的8Gb LPDDR5規格彈性較高，1.1V工作電壓下可達6400Mbps，1.05V下可達5500Mbps，供手機、車載平台自行選擇。

資料顯示，三星在2014年首先成功量產8Gb LPDDR4內存晶元，之後，就開始推進向LPDDR5新標準的過渡。

新的8Gb LPDDR5內存晶元是三星高端DRAM產品線的一部分，後者已經包括10nm級的16Gb GDDR6顯存晶元（2017年12月量產）和16Gb DDR5內存晶元（今年2月份開發完成）。

LPDDR5內存晶元將用於移動設備如手機、平板、二合一電腦等，三星稱，5G和AI將是其主力服務的場景。

三星將在位於韓國平澤市的工廠量產LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM晶元。

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