三星首發新款10nm級內存晶元，功耗降低30%

7月17日，三星對外宣布，已經成功基於10nm級（10~20nm）工藝，開發出首款LPDDR5-6400內存晶元，其中，LPDDR5內存晶元單顆容量8Gb（1GB），容量的模組原型還尚未完全被驗證。

此外，該晶元的內存速度（針腳帶寬）最高6400Mbps ，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍；且晶元每秒可以傳送51.2GB數據，相當於14部1080P電影（每部3.7GB）。值得指出的是，如果傳輸通道是在電腦端的128bit BUS，該晶元每秒傳輸數據量將會超100GB。

在功耗方面 ，該晶元比上一代產品LPDDR4X要低30%。三星表示，功耗的降低主要得益於動態調節電壓、避免無效消耗、深度睡眠等新技術加入。

據悉，三星的8Gb LPDDR5規格彈性較高，1.1V工作電壓下可達6400Mbps，1.05V下可達5500Mbps，供手機、車載平台自行選擇。

資料顯示，2014年，三星首先成功量產8Gb LPDDR4內存晶元，之後，就開始推進向LPDDR5新標準的過渡。新的8Gb LPDDR5內存晶元是三星高端DRAM產品線的一部分，後者已經包括10nm級的16Gb GDDR6顯存晶元（2017年12月量產）和16Gb DDR5內存晶元（今年2月份開發完成）。

LPDDR5內存晶元將用於移動設備如手機、平板、二合一電腦等。三星稱，5G和AI將是其主力服務的場景，他們將在位於韓國平澤市的工廠量產LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM晶元。

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