三星量產第五代3D V-NAND快閃記憶體：96層堆疊，容量翻倍

近兩年3D NAND發展速度十分迅猛，2018年各大廠商的之間的堆疊大戰一直在進行著，目前市場中的主流產品堆疊層數各家基本持平，都保持在64層的階段。但是這一平衡即將被打破，三星電子宣布第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體已經開始量產，其堆疊層數達到96層是目前行業紀錄，三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計，內部集成了超過850億個3D TLC CTF快閃記憶體存儲單元，每單元可保存3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。

三星第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體業界首次採用Toggle DDR 4.0介面，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND快閃記憶體相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。

為了實現上述所有的改進，新一代V-NAND採用了96層層堆疊設計，它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔，這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬。這種製造方法包括了許多先進技術，比如電路設計、新工藝技術等。具體細節三星未詳述，但該公司稱，V-NAND的改進讓每個存儲層的厚度已經削薄了20%，並使其生產效率提高了30%以上。

據了解，三星目前正在全力擴大第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體的生產線以增加產量。另外還有消息稱，三星正在計劃開發1TB（128GB）容量的QLC V-NAND快閃記憶體顆粒，來降低超大容量的SSD產品售價，以滿足伺服器、超算等高密度存儲領域需求。

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