三星量產第二代LPDDR4X內存：1y nm、性能不變、功耗再降10％

今天三星在官網正式宣布，第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內存已經大規模量產，這款產品專門是針對高端智能手機以及對功耗民敏感的額移動設備開發的，可以保持原本LPDDR高達4266MHz速度下，功耗再降低10%。

我們都知道現今手機內存容量突飛猛進，4GB已經是低端機配置，高端機型以及是標配6GB、8GB的樣子，而且性能也越來越強，速度越來越快，在最新的JESD209-4B標準中，規定了LPDDR4X內存工作頻率最高可達4266MHz，同時工作電壓進一步下降至0.6V水平，可以極大地降低工作功耗。

而三星量產的第二代1y nm級別工藝的LPDDR4X內存雖然工作頻率沒有在提升，可以實現34.1GB/s的帶寬，相比起第一代1x nm的LPDDR4X內存要省10%的電，而且整體封裝厚度還可以降低20%。而三星計劃隨著產能提高後，將會迅速推出4GB、6GB以及8GB容量的LPDDR4X內存。

三星內存銷售、市場部高級副總裁Sewon Chun表示，10nm級別的移動DRAM將會成為新一代旗艦手機的最佳選擇方案，最快可以在今年年底或者2019年初看到有相關設備採用第二代LPDDR4內存，同時還將會繼續發展高容量、高性能、低功耗的內存產品，滿足市場所需，加強三星內存業務競爭力。

目前三星已經開始研究下一代LPDDR5內存。（注意，三星所說的20nm、10nm級別其實是工藝節點統稱，包含了20-29nm或者10-19nm不同工藝，而且工藝節點衡量標準與CPU晶體管也有所不同）

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