實現快閃記憶體行業劃時代躍進！長江存儲將首次公布新型3D NAND架構Xtacking

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近日長江存儲官方透露，將於8月份在美國首次公布新型3D NAND架構Xtacking，據稱該技術可將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準，同時使存儲密度達到行業領先水平，實現快閃記憶體行業的劃時代躍進。

文｜Aileen

校對｜Jimmy

圖源｜網路

集微網消息，近日長江存儲官方透露，將於8月份在美國首次公布新型3D NAND架構Xtacking，據稱該技術可將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準，同時使存儲密度達到行業領先水平，實現快閃記憶體行業的劃時代躍進。

據長江存儲介紹，Xtacking技術將為NAND快閃記憶體帶來前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND快閃記憶體應用產品，如UFS、消費級及企業級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業夥伴以及標準機構的合力幫助下，Xtacking將為高性能的智能手機、個人計算、數據中心和企業應用展開新篇章。

Xtacking技術實現了NAND矩陣與外圍電路的並行加工。這種模塊化快閃記憶體開發和製造工藝將大幅縮短新一代3D NAND快閃記憶體的上市時間，並使NAND快閃記憶體產品定製化成為可能。

該公司表示，長江存儲CEO楊士寧博士將於8月份在美國舉行的快閃記憶體峰會（FMS）上首次公布Xtacking技術。不過未透露該技術將於何時投入生產。

長江存儲目前已於2017年研製成功了中國大陸第一顆3D NAND快閃記憶體晶元，并力爭憑創新實力成為世界一流的3D NAND快閃記憶體產品供應商。?

今年5月19日，集微網曾報道，長江存儲的首台光刻機已運抵武漢天河機場，設備相關的海關、商檢及邊防口岸的相關手續辦理完成後，即可運至長江存儲的工廠。據集微網獨家消息，這台光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，用於14nm~20nm工藝。這也從側面透露了長江存儲3D NAND快閃記憶體晶元的工藝製程。這是長江存儲的第一台光刻機，陸續還會有多台運抵。

同時，紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國強調，在生產廠房於去年9月提前一個月封頂、32 層三維 NAND 快閃記憶體晶元自主研發取得重大突破的基礎上，現在我們又提前20天實現了晶元生產機台搬入。未來十年，紫光計劃至少將投資1000億美元，相當於平均每年投入100億美元。

紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全透露，長江存儲的3D NAND快閃記憶體已經獲得第一筆訂單，總計10776顆晶元，將用於8GB USD存儲卡產品。

今年底，基地就將實現國產3D快閃記憶體的小規模量產，用不了多久就能看到基於國產快閃記憶體的智能手機、SSD固態硬碟。明年，長江存儲還將開始64層堆疊快閃記憶體，單顆容量128Gb(16GB)。

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