iPhone7 短路燒基帶原因的分析
原標題：iPhone7 短路燒基帶原因的分析
深度分析iPhone7 PP_1V0_SMPS5短路燒基帶原因
這幾天，手機維修行業最熱門話題莫過於7代PP_1V0_SMPS5短路燒基帶了。
燒基帶的問題已經好長一段時間了，行業內技術大神很多，維修方法早已傳遍，「防」的方法有飛線，「治」的方法有電擊、並電阻等(當然很多是治不好的)，甚至有研究改識別電阻成工程版的。
「防」法：
「治」法：
究其原因，是93腳接地斷開了，恰好今天店裡有一台7，馬上找工程師拍了個圖給我。看到沒？左下角的2個已經掉了。為了方便閱讀理解，再對照點點陣圖看下吧，都是接地點。
這裡不評論誰家好壞，其實都沒錯，但是不夠完美。要我說，把這四個點都連起來，也多不了多少成本，0.5cm的銅線值多少錢！如果不嫌麻煩，主板上每條線路都來一條加強，那就雙保險了。
那麼，為什麼接地腳掉了，會導致燒基帶呢？網路分析文章也有，但沒有深入分析的，我也來班門弄斧一回，嘗試更深層次的挖掘原理。以下內容由我和抓波大神阿林老師協作完成。
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首先，我們來看下7代基帶電源（為了便於理解，截圖經過精簡）。截圖中左邊輸入有VDD_S2~VDD_S5、VDD_L1~VDD_L9，這裡的S表示SMPS開關電源，L表示LDO低壓線性穩壓。右邊輸出有VREG_S*、VSW_S*、VREG_L*，VREG是電壓調節，SW就是平常說的相位腳（會電路維修的都知道）,*數字表示第幾路。
看下開關電源中關於SW的英文解釋吧，看不懂的自行百度/谷歌翻譯：This pin is connected to the buck-switching node,close to the upper MOSFET』s source. It is the float-ing return for the upper MOSFET drive signal. It is also used to monitor the switched voltage to prevent turn-on of the lower MOSFET until the voltage is below ~1 V。
就算看不懂，你也應該看到了MOSFET，對，就是MOS管。手機中的電源晶元，不同於電腦，由於高集成度，不得不把基礎元件都集成到內部，僅把儲能電感電容置於外部。
為了便於理解，我找了一個相似的電源晶元。同樣我把多餘的東西都去掉了。
解釋下引腳的定義：
PVDD：功率電源輸入，供給輸出的開關管（電流大）
LX：相位腳。內部功率MOSFET開關輸出。此引腳連接到輸出電感
FB：反饋，電壓要穩定，閉環控制不可少，固定電壓輸出方式的直接接到輸出端，通俗點來說就是讓電源晶元知道實際輸出多少，是否符合電源晶元的要求。
PGND：功率輸出地（電流大）
GND：模擬信號地
看下內部結構，找一下集成的MOS管吧
這個框圖中，PGND和GND是分開的。如果PGND開路，下管無法形成放電迴路，功率電感只進行充電動作，沒放電動作，輸出電壓將升高，由於FB存在，模塊關閉上管，電路進入保護狀態。
如果GND和PGND同時開路（就是上面圖中掉焊盤了的情況），模塊不工作，上管G為低電平，由於上管是P管，G為低電平時候，SD導通，S級接PVDD，D輸出PVDD電平，會造成後面的電路電壓過高而損壞。
再看看手機電路中的S5模塊：
電路超級簡潔，輸入電壓來自PP_VDD_MAIN，93腳GND_S5：注意這個GND包含兩個功能：1模擬地；2功率地；
當GND_S5完全斷開後，VSW_S5電壓將持續等於PP_VDD_MAIN,造成後面的基帶晶元電壓過高燒壞。原來只能承受1V左右的模塊，施加一個4V多的電壓，不壞才怪
說了這麼多，我們來做個實驗吧
（為了便於操作，我沒有選擇手機主板。以下結果僅供參考，可能蘋果電源晶元內部設計更嚴密，但總體是相符的，有興趣的可以自行實驗）
找一片含RT8105的板，挖掉2腳和5腳的接地
焊上晶元，飛入供電3.3V
然後從晶元的接地腳飛出一根線，用於手動接地（圖中紅細線）
接地狀態下，晶元正常輸出1.5V電壓
當我把接地線斷開後，輸出電壓瞬間變成了3.3V而後變為0，好興奮！可惡，居然忘記抓波拍照。那麼再來一次吧，抓個好波。悲劇來了，晶元燒掉了，變成持續輸出3.3V
第一個晶元，英勇犧牲了，圍觀的有一大波學員，這晶元也太脆弱了，這麼多人圍觀就頂不住了？換！
這次做好了準備抓波，嘿嘿！怎麼回事？2.*V？持續？又特么掛了？
沒有接地時正常輸出1.5V，不接地時輸出2.4V
來源：迅維網維修論壇 維修獅 整理髮布
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