三星利潤增長放緩 存儲市場供大於求引擔憂

近日，三星電子發布截至2018年6月30日的第二季度財報。財報顯示，公司該季度營收58.48萬億韓元（約合523億美元），同比下滑4.13%；營業利潤14.78萬億韓元（約合133億美元），同比增長5.71%；凈利潤11.04萬億韓元（約合98億美元），較去年同期下滑0.09%。

圖片來源：21世紀經濟報道

在營收結束連續6個季度上漲的同時，三星電子利潤增長也大幅放緩，這主要是受三星手機業務部門的拖累。受全球智能手機市場增長「幾乎停滯」及三星旗艦機型表現平平的影響，三星手機業務該季度營業利潤降至2.67萬億韓元，較去年同期的4.06萬億韓元下滑34%。

相比之下，半導體業務部門表現似乎很亮眼，以37.6%的營收貢獻了公司78%的營業利潤。營業利潤額11.6萬億韓元，實現了44.6%的同比增長。但相較此前5個季度分別達140%、204%、196%、120%和84%的同比增長率，三星半導體業務增速放緩的趨勢也愈發明顯。

其中包括貢獻了三星半導體84%營收的存儲業務，它曾成功幫助三星在2017年打破了英特爾25年的壟斷、成為新晉「全球第一大半導體廠商」，如今又成為三星半導體增長放緩的源頭，引起外界對其未來的擔憂。

「超級周期」或終結

過去兩年是存儲價格猛增、市場空前繁榮的兩年。

綜合數據顯示，2016年第一季度，全球DRAM營收為85.6億美元，較2015年第四季度的102.7億美元下降16.65%。不過此後，DRAM市場規模一路攀升，開啟了長達2年的「超級周期」。到2018年第一季度，該市場規模已增至230.8億美元，較2016年第一季度漲幅達169.63%。

一同進入「超級周期」的還有存儲領域另一主要市場——NAND快閃記憶體。

集邦諮詢半導體研究中心（DRAMeXchange）數據顯示，2016年第一季度，全球NAND市場總營收為80.64億美元，較此前一個季度的83.07億美元略降2.9%。但此後，該項數字幾乎連續季度增長，到2017年第四季度已增長至162.35億美元，較2016年第一季度漲幅超過101%。

世界半導體貿易統計協會（WSTS）數據顯示，2016年全球存儲元器件市場規模為767.7億美元，較2015年的772.1億美元略微有所下跌。不過到2017年，該市場規模已爆增至1239.7億美元。WSTS預計，2018年和2019年存儲市場規模將分別為1567.9億美元和1625.5億美元，增速將在隨後明顯放緩。

2018年第一季度，全球NAND市場已初現衰退，總營收降至157.41億美元，降幅約為3%。

有報告顯示，若要保持NAND快閃記憶體位元每年40%的增長率，該產業2017年和2018年（預計）實際所需投資應均為220億美元。然而實際上，幾大廠商的投資2017年達到280億美元，2018年更是將達310億美元，分別超出實際所需27%和41%。

報告顯示，「2018年初NAND快閃記憶體價格已開始下滑，預計第二季度以及之後的2019年該下滑趨勢仍將延續。」

「就NAND來說，現在業界的擔憂在於，由於3D NAND產出大幅增加，導致價格持續下跌，該市場早已進入供過於求的格局。」集邦諮詢半導體研究中心（DRAMeXchange）資深協理吳雅婷對21世紀經濟報道記者表示，「DRAM方面，雖然沒有因為製程轉進而出現位元成長大幅增加的狀況，但在三大廠持續擴增產能的帶動下，供給也是在逐步增長，可以說正要邁入供過於求的局面。」

在她看來，目前3D NAND市場最大的問題就是供給增速過快，已遠大於需求。「這主要是因為製程從2D轉向3D，使得位元成長大幅增加。」吳雅婷表示，「同時在高度競爭的市場架構下，每家廠商都大幅增產，以維持市場佔有率，導致供過於求的情況比DRAM市場嚴重。」

不過，對於該「超級周期」到期的具體時間節點，吳雅婷表示：「DRAM和NAND快閃記憶體市場的趨勢始終還是要回歸到供需之間的關係，以兩年期這樣的時間點劃分可能並不完全正確。」

中國廠商入局具指標意義

經歷過早期的廠商整合與調整，如今全球DRAM產業已進入「三大廠」的寡頭格局：DRAMeXchange數據顯示，在2018年第一季度，三星、SK海力士和美光這三大廠市佔率分別為44.9%、27.9%和22.6%。

至於NAND市場，外界也猜測最終會形成和DRAM市場一樣高度集中的局面。2018年第一季度，三星、東芝、閃迪/西部數據、美光、SK海力士和英特爾這六家廠商在NAND市場的佔有率分別達到了37%、19.3%、15%、11.5%、9.8%和6.6%。

不過，在上述市場均表現強勢的美光科技7月初曾在中國遭遇重挫。7月3日，福建晉華和台灣聯電分別通過各自官網發布聲明，稱因美光涉嫌專利侵權，福州中院已對其發布「訴中禁令」，裁定美光立刻停止在中國銷售、加工、製造、進口旗下數十款DRAM和NAND產品。

集邦諮詢DRAMeXchange預計，2018年中國內需市場消化的全球DRAM和NAND 快閃記憶體產能分別為20%和25%。其中，美光科技20%的NAND 快閃記憶體產能和26%的DRAM產能均依賴於中國市場。

當時的分析就認為，美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品的風險，加上中國廠商將於2019年正式入局，該市場的全球銷售版圖恐將發生洗牌。不過，美光依然有上訴權利，此案的後續影響將是全球存儲器產業關注的焦點。

目前，有三家中國半導體廠商正在進軍存儲領域，包括投入NAND 快閃記憶體市場的長江存儲，專註於行動式內存的合肥長鑫，以及致力於利基型內存的福建晉華。

「他們皆會在2018年完成初期產品的開發，並在陸續試產之後，於2019年上半年宣布量產。」吳雅婷表示，「雖然到2019年年底為止，這三大陣營的產能規模都還很小，但對整體存儲市場來說，仍是代表新進者的正式加入，具有指標性意義，三家中國廠商接下來的發展值得密切關注。」

在此前評論東芝快閃記憶體晶元（TMC）業務出售對NAND市場的影響時，數字存儲行業分析師Tom Coughlin也曾表示，與其說走向集中，存儲市場將擁有更多玩家。「這是多家中國快閃記憶體製造商崛起推動的結果。顯然，快閃記憶體行業的整合還未完成。」他寫道。

來源：21世紀經濟報道

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