半導體行業併購整合趨勢難變；集成電路巨無霸越來越多；中國反壟斷的力度需要加強；華人在美高科技行業受到更多監控，潔身自好乃是關鍵

文｜集微網

校對｜Jimmy

圖源｜集微網

華裔工程師涉盜通用電氣機密　資料藏數碼照二元碼內

一名受雇於通用電氣公司(GE)的華裔工程師，涉嫌竊取該公司的機密技術文件，1日在紐約上州被捕並過堂，暫不得保釋，若罪成最高可面臨十年監禁和25萬元罰款；檢方指出，嫌犯已是美國公民，但仍保留中國籍，與中國多家航空技術公司有利益關係，多家公司有政府背景。檢方指出，鄭曉青在7月5日將含有航空渦輪機技術的商業機密文件，以速記式加密手段，隱藏在一張日落圖片內，再以電郵方式把含有商業機密的「圖片」以「值得保存的美麗風景」(Nice view to keep)為標題，電郵到自己的郵箱，手段嫻熟且隱密。但檢方也指出，通用電氣多年來已發覺鄭曉青的多次可疑行為，並展開過內部調查，但沒有採取措施。

集微點評：由於中美貿易戰，使得華人在美高科技行業受到更多監控，不過潔身自好還是最關鍵的

總投資891.83億，TCL集團將在深圳建兩條第11代新型產線

8月2日，TCL集團發布公告，為鞏固大尺寸面板的市場份額和技術優勢， 強化公司在半導體顯示垂直產業鏈的整合優勢，公司將在深圳光明新區投建兩條第11代新型顯示器件生產線，即t6和t7工廠，計劃總投資891.83億元，項目公司為深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司。據披露，t6主要生產和銷售43"、65"、70" (21:9)、75"液晶顯示屏，超大型公共顯示屏和OLED顯示屏，已完成主體建設，設備搬入進展順利。t7計劃生產和銷售65"、 70" (21:9)、 75"的8K超高清顯示屏及65"OLED和75" OLED顯示屏等。

集微點評：TCL電視及手機雖然不像前幾年風光，面板卻異軍突起，成為另一個千億產業布局

傳英飛凌已經接近收購意法半導體，但法國政府反對併購

日前據彭博援引知情人士表示，英飛凌（Infineon Technologies AG）去年曾就收購意法半導體（STMicroelectronics NV）舉行早期會談，若該併購成功完成，英飛凌將一躍成為歐洲半導體巨頭。不過法國政府反對這項併購。該人士透露，英飛凌聘請法國巴黎銀行擔任顧問，花了三個月時間研究這項收購案。去年8月份，英飛凌在與意法半導體接洽前，曾一度想過放棄該收購。由於審議工作從未公布，該人士要求匿名。他還表示雙方並沒有進一步談判。若成功，合併後的公司年銷售額將達到150億歐元（約175億美元）。目前尚不清楚意法半導體去年對這項併購的意向如何。知情人士表示，法國政府是意法半導體最大的股東之一，現在仍然反對兩者進行合併。其中一位知情人士表示，政府希望意法半導體專註於發展業務獲得增長，而不是藉由併購來擴大規模。

集微點評：雖然高通收購NXP未能成功，半導體行業併購整合趨勢難變

英特爾將高通總裁及英特爾前高管列入CEO候選

英特爾將高通兩位高管納入公司空缺首席執行官一職的候選人名單。知情人士透露，高通現任總裁Cristiano Amon以及前英特爾和高通高管Anand Chandrasekher成為了接任英特爾前任首席執行官Brian Krzanich的候選人。英特爾、高通以及Chandrasekher並沒有立即針對此消息作出回應。知情人士表示，除了Amon以及五月從高通離職的Chandrasekher之外，其他候選人還包括現任英特爾高管的Navin Shenoy以及Venkata Murthy Renduchintala、前英特爾高管Diane Bryant、Renee James以及Stacy Smith。前英特爾高管、現任VMware首席執行官的Pat Gelsinger也在候選人名單中，但他已經明確表示不會考慮這件事。英特爾首席財務官兼公司臨時首席執行官Bob Swan則告訴員工，他對於永久擔任CEO一職不感興趣。

集微點評：集成電路巨無霸越來越多，Intel選擇CEO的空間卻變得越來越小

風華高科業績大好，股價為何閃崩？政府開始調查MLCC漲價影響

受MLCC漲價放緩衝擊，中國大陸MLCC龍頭風華高科股價連續下滑，7月31日，風華高科股價遭遇閃崩，收盤封死跌停。接連三天，風華高科的總市值蒸發超過20個億。不過，風華高科日前預計上半年實現歸屬於上市公司股東的凈利潤4.05億元至4.40億元，同比增長262.61%至293.95%。7月26日，深圳市龍崗區經濟促進局發函《關於開展電子元器件市場波動對行業影響問卷調查函》，由此來看，電子元器件市場的價格波動已經了有關政府部門的重視。

集微點評：有關部門開始關注MLCC漲價是好事，不過真要對MLCC進行調查還需要很長一段時間。與歐盟相比，中國反壟斷的力度需要加強

合肥長鑫輸變電項目成功送電

合肥長鑫集成電路有限責任公司12吋晶圓存儲器製造基地項目，是安徽省和合肥市重點工程，安徽省單體最大的工業項目，一期投資534億元人民幣，三期總投資1540億元，為國家集成電路重點布局三大項目之一。該項目投產後，能夠有效填補國內DRAM市場的空白，符合打破國際壟斷、實施存儲器產業進口替代戰略的發展導向。據了解，相對於國內同時開建製程和規模相近的武漢長江存儲和福建晉華項目，合肥長鑫項目進展領先。長鑫項目19納米製程與國際一流的海力士、美光、三星廠商相同。建成後，長鑫項目研發生產線居國內第一、世界第四，產量佔據世界8%市場份額。

集微點評：合肥長鑫DRAM工藝比晉華領先，進設備比晉華更早，不過論量產估計晉華還是要早一些

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