硬體資訊：AIDA64識別GTX1180，這次應該逃不了了吧？

科技 08-09

新聞1：AIDA64識別出GTX 1180顯卡，基於GV104伏特核心

每每有新PC硬體發布之前，基準測試工具通常都是優質可靠的爆料源。8月6日，AIDA64更新到5.97.4679 beta版，比較引人關注的細節是加入了對NVIDIA GV102/GV102GL/GV104/GV104M的預支持。

由於GV100對應的包括Tesla V100/Quadro V100等，所以GV就是GeForce Volta的縮寫，代表伏特架構。

進一步的挖掘發現，設備ID 1e87對應的顯卡名為GeForce GTX 1180。

據此來看的話，NVIDIA 8月20日發布基於12nm Volta架構的GTX 1180遊戲卡的可能性驟增。當然，在事情塵埃落定之前，依然不能排除「GTX 1185/2080」的命名以及Turing/Ampere架構面世的可能。

卡是塵埃落定了，為什麼價格一直都說不出來呢？甚至有不少人（奸商那邊）直接說GTX1180其實就是一張GTX1080Ti，而且10系的顯卡已經賣完了，所以10系的卡不可能降價了。我到底信誰？算了，等等黨就好了，反正現在就快發新卡了，遲一天早一天也不差這一天，說得好像我們買得起一樣。

新聞2：長江存儲推出3D NAND架構Xtacking I/O介面速度高達3Gbps

長江存儲周一公布了有關其Xtacking架構的關鍵細節，該架構將用於其即將推出的3D NAND快閃記憶體晶元。該技術涉及使用兩個晶圓構建NAND晶元：一個晶圓包含基於電荷陷阱架構的實際快閃記憶體單元，另一個晶圓採用CMOS邏輯。

傳統上，NAND快閃記憶體的製造商使用單一工藝技術在一個晶片上產生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩衝器等）。相比之下，長江存儲打算使用不同的工藝技術在兩個不同的晶圓上製作NAND陣列和NAND邏輯，然後將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯。

Xtacking架構旨在使NAND獲得超快的I/O介面速度，同時最大化其內存陣列的密度。長江存儲表示，其64層3D NAND晶元的I/O介面速度為3 Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。

從理論上講，高I/O性能將使SSD供應商能夠只用較少的NAND通道製作低容量SSD而不會影響性能，從而抵消了高傳輸率的低並行性。此外，通過將控制邏輯定位在NAND存儲器陣列下方，長江存儲表示Xtacking架構允許最大化其3D NAND容量，並最小化晶元的尺寸。

長江存儲稱，由於存儲密度的增大可以抵消額外的邏輯晶圓成本，使用兩個300毫米晶圓不會顯著增加生產成本。與其他製造商一樣，長江存儲沒有公開用於3D NAND的光刻節點，只對外公布使用XMC的工廠生產內存和邏輯，並稱外圍邏輯晶元將使用180nm製程加工。由於兩種晶圓均採用成熟的製造技術進行加工，因此長江存儲不需要非常高的混合和匹配覆蓋精度來將它們粘合在一起並形成互連通孔。

一般來說，存儲顆粒製造商傾向於將模具尺寸保持在較低的水平，以提高競爭力和盈利能力。對於2D NAND來說，在涉及到通常的Gb/mm2指標時，拋開所有複雜性和產率，較小的晶元會讓晶圓成本分散在更多晶元上，進而在成本方面獲勝。

而隨著晶圓在化學氣相沉積（CVD）機器上花費更多時間，3D NAND技術變得更加複雜，因此晶圓廠加工的晶圓數量以及晶圓本身的成本不再是至關重要的指標。儘管如此，它們對於像長江存儲這樣的公司來說，通過將控制邏輯放在內存數組中，使其NAND密度最大化就已經足夠重要了。

請再根據本文寫一篇感想（5分）

1.不可能

2.你就吹吧

3.能不能老實一點

廣告位

新聞3：慧榮企業級SSD主控首秀，三個雙核ARM CPU

快閃記憶體行業一年一度的盛會快閃記憶體峰會(FMS)即將開幕，各家都準備拿出自己的最新最強的技術，比如我國長江存儲的全新3D快閃記憶體架構術Xtacking。作為快閃記憶體主控行業如今的臨頭羊，慧榮(Silicon Motion)將首次公開介紹其第一款企業級和數據中心級SSD主控，型號「SM2270」，這也是其迄今最強大的SSD主控。

SM2270封裝尺寸僅21×21毫米，最大特點就是單晶元內置了三個ARM Cortex-R5雙核處理器。這種特殊的架構相當於移除了現有八通道主控SM2262中的前端部分，然後將兩個這種前端直接整合在晶元內部，而一個新的更寬的前端可以支持PCI-E 3.0 x8。

Marvell 88SS1088主控也使用了類似的設計，擁有四個Cortex-R4 CPU核心，慧榮這個就高級多了。

該主控支持NVMe 1.3標準協議，快閃記憶體控制器方面支持16通道，每個通道8個CE，總共128個，可搭配3D TLC/QLC顆粒，最大容量16TB，支持LDPC、E2E DPP、DRAM ECC、SRAM ECC等多種糾錯技術。

性能方面，如果搭配U.2介面，持續讀寫最高可達3.2GB/s、2.8GB/s，4KB隨機讀寫最高可達80萬IOPS、20萬IOPS。

目前大部分民用SSD IO讀寫速度也就300-400KIOPS，要上到500KIOPS已經很難了。這次慧榮直接800KIOPS。NVME SSD的4K，持續讀寫其實很依賴於CPU性能，因為現在不少NVME都要走PCIE通道了，相當於間接或者直接和CPU溝通，所以不少人老是說跑分低，其實不排除是你CPU「被佔用」了。況且還有一個事情，現在的跑分，大部分都是模擬最好的環境，所以很容易跑出很高的分。但問題是我們每天不是玩跑分的，是日常用的，所以做好日常和跑分數據有很大差距的心理準備吧。

新聞4：十銓：聽說有人想挑戰我？